Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"инжекционные лазеры"'
Autor:
T. Denneulin, N. Cherkashin
Publikováno v:
Физика и техника полупроводников. 53:1708
Lasing in orange spectral range(599−605 nm)in(AlxGa1−x)0.5In0.5P−GaAs laser diodes grown by MOVPE on GaAs substrates(211) and (322) was demonstrated. The active region consisted of 4 layers of InxGa1−xP vertically coupled quantum dots. Carrie
Publikováno v:
Физика и техника полупроводников. 52:1486
AbstractOn the basis of a Pb_1 –_ x Sn_ x Se solid solution, long-wavelength diffusion injection lasers with laser generation up to a record long wavelength of 50.4 μm are created and studied. Pb_1 –_ x Sn_ x Se single crystals are grown from th
Publikováno v:
Физика и техника полупроводников. 50:1697
На основе твердого раствора Pb1-xSnxSe созданы диффузионные инжекционные лазеры, излучающие в зависимости от состава и температуры в широко
Autor:
M. Pilkun
Publikováno v:
Uspekhi Fizicheskih Nauk. 98:295-350
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 3. С. 88-91
Исследованы оптические свойства полимерно-жидкокристаллических композитов (ПЖКК) с управляемым поверхностным сцеплением при одноосно
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::4af31194b5f08b68e65301fe3a5b969c
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000891594
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000891594
В ходе настоящей дипломной работы были созданы и исследованы полупроводниковые инжекционные лазеры с резонатором Фабри-Перо, которые р
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c7dd03df216572db55fd3b6c0868fe1f
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 127-131
Решена точная задача распространения электромагнитной волны в многослойной гетеронаноструктуре с комплексными значениями диэлектрич
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::806b42a109849e1362f498f35098fbda
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674875
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674875
Исследовано влияние оже-рекомбинации на оптические свойства полупроводниковых структур с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb. Экспериментальн
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::620cf86624ba2d6d8a327aef32767160
Autor:
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ, Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 84-85
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=httpsopenrep::bd4d6f1644c0d920a080477767ecc84e
https://openrepository.ru/article?id=801544
https://openrepository.ru/article?id=801544