Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"диод Шоттки"'
Приводятся результаты моделирования сверхскоростного буфера тактовых сигналов, выполненного на базе арсенид-галлиевых n-канальных тра
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::798f4b6b6f13510beeaf6d0e984eb50d
В данной публикации описывается принцип работы простых полупроводниковых выпрямительных диодов, а также проектируется схема для постр
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5dfe657cd33a934aa33b7f8e9bd8c445
В статье приведены результаты исследования вольтамперных характеристик (ВАХ) диодов Шоттки из карбида кремния и кремния. Исследование
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4f7f74c2757d1fd1051ad718e68cfe32
Publikováno v:
Радіоелектроніка та інформатика; № 3(82) (2018)
Радиоэлектроника и информатика; № 3(82) (2018)
Radioelectronics & Informatics; № 3(82) (2018)
Радиоэлектроника и информатика; № 3(82) (2018)
Radioelectronics & Informatics; № 3(82) (2018)
Установливается, что качество контактов определяется, главным образом, характером распределения химических элементов в приконтактной
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::875ed3472c29af146e3733f638d0f4d4
http://reinf.nure.ua/article/view/162777
http://reinf.nure.ua/article/view/162777
Publikováno v:
Енергетика: економіка, технології, екологія : науковий журнал, 2017, № 3 (49)
Ефективність використання синхронного випрямляча в перетворювачах змінного / постійного струму і постійного / постійного струму. Модел
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::16c1c856be4ad90e81b941b0878d41d0
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/22749
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/22749
Publikováno v:
Интерэкспо Гео-Сибирь.
Рассматриваются технологические проблемы создания матричных приёмников излучения терагерцового диапазона на основе детекторов с ант
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806::a9b461144f988f716fcdc6bdd8793e69
http://cyberleninka.ru/article_covers/15639691.png
http://cyberleninka.ru/article_covers/15639691.png
Publikováno v:
Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.
Обнаружена неоднородность протекания тока в диодах с контактом металл-полупроводник, вследствие чего в ВАХ проявляются дополнительные
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806::25e0d293a3967aac0d488730143509a4
http://cyberleninka.ru/article/n/k-voprosu-o-fizicheskih-mehanizmah-generatsii-flikkernogo-shuma-v-ti-au-gaas-diodah-shottki
http://cyberleninka.ru/article/n/k-voprosu-o-fizicheskih-mehanizmah-generatsii-flikkernogo-shuma-v-ti-au-gaas-diodah-shottki
Publikováno v:
Electronics and Communications; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Электроника и Связь; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Электроника и Связь; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 4 (2013); 9-13
Schottky diodes are used in many fields of electronics as pulse rectifier diodes. Manufacturing Schottky diode with a guard ring allows to significantly improve the protection of the metal-semiconductor transition from a possible flashover. Existing
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::cec86eb87ac9d85f0b624d8d0bd0cd22
http://elc.kpi.ua/old/article/view/155914
http://elc.kpi.ua/old/article/view/155914
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 10, № 1 (2013); 47-55
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 10, № 1 (2013); 47-55
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 10, № 1 (2013); 47-55
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 10, № 1 (2013); 47-55
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 10, № 1 (2013); 47-55
The results of the experimental investigations of the reverse current-voltage characteristics of the Mo/n-n+-Si Schottky structures are presented. The structures were irradiated by γ-rays 60Со, the cumulative doses were equal to 0, 10, and 100 kGy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::f1f1064f149bb7c5a18fd9debcaf958d
http://semst.onu.edu.ua/article/view/112595
http://semst.onu.edu.ua/article/view/112595
Publikováno v:
Инженерный вестник Дона.
В работе предложена математическая модель и проведено моделирование вольт-амперных характеристик контактов металл-полупроводник с ба
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806::624b0e22b61d71d50df17fca1490a942
http://cyberleninka.ru/article_covers/15646186.png
http://cyberleninka.ru/article_covers/15646186.png
