Zobrazeno 1 - 10
of 89
pro vyhledávání: '"дефектообразование"'
В настоящей работе методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с каналированием (РОРКИ) исследовано дефектоо
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3992::5d94d0e52e90ac822f07bab4c9fd744f
https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020
https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
При изучении взаимопроникновения элементов подложки и тонкой пленки, получаемой методами ионно-ассистируемого нанесения покрытий, нео
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3992::7c2739c7b650e79fda0c062ac36c0390
https://elib.belstu.by/handle/123456789/36296
https://elib.belstu.by/handle/123456789/36296
При имплантации ионов в полупроводниковые материалы электрофизические свойства модифицированных поверхностных слоев в значительной
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3992::e240b4071c58b51a1c14a0ed7e04f73d
https://elib.belstu.by/handle/123456789/33290
https://elib.belstu.by/handle/123456789/33290
При имплантации ионов в полупроводниковые материалы электрофизические свойства модифицированных поверхностных слоев в значительной
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=httpsopenrep::011bc07556848177d3414ef727d386b3
https://openrepository.ru/article?id=458264
https://openrepository.ru/article?id=458264
Publikováno v:
NANOINDUSTRY Russia. 96:647-649
Проведен анализ двухэтапного процесса поверхностного дефектообразования на границе раздела Si-SiO2 в МОП-транзисторе с n-каналом. Получен
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::89a2937568235be05bb70e01cb38d434
https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.647.649
https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.647.649
