Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"гетероэпитаксия"'
Autor:
Павел Николаевич Бутенко, Роман Борисович Тимашов, Андрей Иванович Степанов, Алексей Иванович Печников, Андрей Владимирович Чикиряка, Любовь Игоревна Гузилова, Сергей Иванович Степанов, Владимир Иванович Николаев
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)
Оксид хрома со структурой корунда (a-Cr2O3), обладающий возможностью иметь проводимость p-типа, является привлекательным кандидатом для соз
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b5856803ddef4ae7bf42616c878e687c
Autor:
Sergey Bytkin, Tatyana Kritskaya
Publikováno v:
Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях; Том 1, № 26(1302) (2018): Вісник НТУ «ХПІ»: Серія "Нові рішення у сучасних технологіях"; 148-161
Вестник Национального Технического Университета "ХПИ" Серия Новые решения в современных технологиях; Том 1, № 26(1302) (2018): ; 148-161
Bulletin of the National Technical University «KhPI» Series: New solutions in modern technologies; Том 1, № 26(1302) (2018): NTU "KhPI" Bulletin: Series "New Solutions in Modern Technologies"; 148-161
Вестник Национального Технического Университета "ХПИ" Серия Новые решения в современных технологиях; Том 1, № 26(1302) (2018): ; 148-161
Bulletin of the National Technical University «KhPI» Series: New solutions in modern technologies; Том 1, № 26(1302) (2018): NTU "KhPI" Bulletin: Series "New Solutions in Modern Technologies"; 148-161
Технології високотемпературних і радіаційно стійких силових напівпровідникових приладів (СНП) використовують структури на основі SiC, Ga
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::719c74bd8a77a2226eb53260e757a5c2
http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/2413-4295.2018.26.21
http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/2413-4295.2018.26.21
Технологии высокотемпературных и радиационно-стойких силовых полупроводниковых приборов (СПП) используют структуры на основе SiC, GaN. Ми
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3033::6a2fddf244cf9264fac00c9538ce8f80
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/38432
http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/38432
Autor:
Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ, Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 156-158
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::878e04fa2389c4ea9ce85f726241ba3e
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468362
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468362
Autor:
Suemitsu, Maki, Sambonsuge, Shota
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 12. С. 106-111
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e67da0b8c67fa31437279fd34ed374c3
https://openrepository.ru/article?id=802645
https://openrepository.ru/article?id=802645
Autor:
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Publikováno v:
Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 164-171
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::19fc173a3405deff6bdb733b4e6ec8c0
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328942
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328942
Autor:
Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
Publikováno v:
Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 17-23
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::1f738660f47708860da403ab7c40d0aa
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328904
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328904
Publikováno v:
Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 7 (2000); 161-173
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 7 (2000); 161-173
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 7 (2000); 161-173
Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 7 (2000); 161-173
Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 7 (2000); 161-173
The main stages of the producing technology of sapphire plates of (0001) orientation with the basic plane (112̅0) for GaN heteroepitaxy are described.
Описаны основные этапы технологии изготовления са
Описаны основные этапы технологии изготовления са
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::e25aa1a846dce94cbe93d49ea34bbd07
http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/132433
http://fizyka-visnyk.uzhnu.edu.ua/article/view/132433