ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ GA(AL)N ДЛЯ СИЛОВЫХ HEMT НА СВЕРХВЫСОКООМНЫХ СТРУКТУРАХ КРЕМНИЯ

Publikováno v: Nanoindustry Russia. 13:209-212

Продемонстрированы новые результаты разработки отечественной технологии Ga(Al)N-on-Si. Разработка ведется АО «Эпиэл» в тесном сотрудничест�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f8b3e0e665a43f6f2d301fdcaab2608
https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.5s.209.212

Создание гетероструктуры a-Ga2O3:Sn/a-Cr2O3/a-Al2O3 методами газофазной эпитаксии

Autor: Павел Николаевич Бутенко, Роман Борисович Тимашов, Андрей Иванович Степанов, Алексей Иванович Печников, Андрей Владимирович Чикиряка, Любовь Игоревна Гузилова, Сергей Иванович Степанов, Владимир Иванович Николаев

Publikováno v: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)

Оксид хрома со структурой корунда (a-Cr2O3), обладающий возможностью иметь проводимость p-типа, является привлекательным кандидатом для соз

Externí odkaz: https://doaj.org/article/b5856803ddef4ae7bf42616c878e687c

Perspective semiconductor materials for the using in the power electronics

Autor: Sergey Bytkin, Tatyana Kritskaya

Publikováno v: Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях; Том 1, № 26(1302) (2018): Вісник НТУ «ХПІ»: Серія "Нові рішення у сучасних технологіях"; 148-161
Вестник Национального Технического Университета "ХПИ" Серия Новые решения в современных технологиях; Том 1, № 26(1302) (2018): ; 148-161
Bulletin of the National Technical University «KhPI» Series: New solutions in modern technologies; Том 1, № 26(1302) (2018): NTU "KhPI" Bulletin: Series "New Solutions in Modern Technologies"; 148-161

Технології високотемпературних і радіаційно стійких силових напівпровідникових приладів (СНП) використовують структури на основі SiC, Ga

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::719c74bd8a77a2226eb53260e757a5c2
http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/2413-4295.2018.26.21

Компьютерное моделирование послойного роста грани 3D-островка

Autor: Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ, Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников

Publikováno v: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 156-158

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::878e04fa2389c4ea9ce85f726241ba3e
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468362

Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой

Autor: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ

Publikováno v: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 164-171

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::19fc173a3405deff6bdb733b4e6ec8c0
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328942