Výsledky vyhledávání - "гетероструктуры"

Akademický článek

Publikováno v: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)

Оксид хрома со структурой корунда (a-Cr2O3), обладающий возможностью иметь проводимость p-типа, является привлекательным кандидатом для соз

Externí odkaz: https://doaj.org/article/b5856803ddef4ae7bf42616c878e687c

Akademický článek

Publikováno v: Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)

С использованием различных диагностических методов исследования структуры и физических свойств (методы синхронного термического анал

Externí odkaz: https://doaj.org/article/07d8de0fb79b430b9dec375f4353e5c8

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Publikováno v: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 4. С. 133-142

Исходя из топологии гетероструктуры с квантовыми ямами, предложена ее эквивалентная схема в виде последовательного соединения паралле

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Publikováno v: Nanoindustry Russia. 15:130-135

Проведены исследования совокупности технологических факторов, позволяющих получать специализированные гетероструктуры GaAs-GaAlAs с высо�

Publikováno v: Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 109, вып. 1/2. С. 118-123

В настоящей работе мы представляем результаты теоретического исследования двух гетероструктур, состоящих из подложки топологического

Publikováno v: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 3. С. 144-147

Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с э

В данной работе было исследовано влияние легирования барьерного слоя AlGaN примесью n-типа в одно- и трёхканальных AlGaN/AlN/GaN гетероструктура

Vyhledávací nástroje: