Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"гетероперехід"'
Publikováno v:
Технічна електродинаміка, Iss 2, Pp 087-087 (2024)
В роботі представлені результати теоретичних та експериментальних досліджень перехідних процесів в електричних колах з окремо взятим
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c578b01067714e8393f3233c9fc15119
Autor:
Mykhailo M. Solovan, Andrii I. Mostovyi, Hryhorii P. Parkhomenko, Viktor V. Brus, Pavlo D. Maryanchuk
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 1, Pp 34-42 (2021)
У роботі представлено результати досліджень оптичних і електричних властивостей напівпровідникових гетеропереходів МоOx/n-Cd1-хZnхTe виго
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/80cbfd0e2907480eb446f022db3dd146
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 4, Pp 453-456 (2020)
Researched essentials and physical mechanisms which determine photosensitivity of MESFET on epitaxy layers of GaAs with monocrystalline silicon wafer under their illumination in impure zone absorption spectrum. Conducted experiments showed that sourc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6d26fc14e1d948248cffbff2cdbeb238
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Використання альтернативних і відновлюваних джерел енергії в енергозабезпеченні в усьому світі викликає великий практичний інтерес. З
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::17f496cfdb1be7fa7c3c37aab21fc5f8
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92435
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92435
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Перовскітний матеріал CH3NH3PbI3 продемонстрував відмінні оптоелектронні властивості для використання в сонячних елементах. Однак такі пр
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::ed0ed8de1b41f6fd564b61d99b587712
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89186
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89186
Дослідження спрямоване на покращення амбіполярної поведінки та низького струму увімкнення гетеродіелектричних BOX та TFETs з гетероперех
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c484ec9901e68e53b88c3f1be3ddac3a
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89169
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89169
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 4, Pp 453-456 (2020)
Researched essentials and physical mechanisms which determine photosensitivity of MESFET on epitaxy layers of GaAs with monocrystalline silicon wafer under their illumination in impure zone absorption spectrum. Conducted experiments showed that sourc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3219c311299d1fb45b5731629018cd44
https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.453-456
https://doi.org/10.15330/pcss.20.4.453-456
Publikováno v:
Photoelectronics; № 21 (2012); 75-78
A novel image sensor has been developed for measuring weak optical signals. The optical information is stored as the charge of the non-equilibrium carriers trapped in the space-charge region of the heterojunction. In the visible range of the spectrum
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::f565d0d625e906302e3dd6472efa3b68
http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/206298
http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/206298