Výsledky vyhledávání - "гетеропереход"

Study of photoconvertion heterojunction n-GaP/p-Si obtained by PE-ALD

Autor: Kiianitsyn, Sergey, Gudovskikh, Alexander, Uvarov, Alexander, Maksimova, Alina, Vyacheslavova, Ekaterina, Baranov, Artem

Plasma-enhanced atomic layer deposition is an attractive method for producing n-GaP layers at low temperatures on p-Si wafers for further photovoltaic application of n-GaP/p-Si heterostructures. In this study, we explore the influence of growth condi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16583acf5315bb1bfea5b2399820dc47

Zobrazit plný text záznamu

Two-dimensional plasmon excitations in a random array of quantum antidots

Autor: Vasilyev, Yuri

Terahertz absorption in two-dimensional electron systems in an AlGaAs/GaAs heterojunction containing a layer of self-organizing antidots is experimentally studied. A magnetoplasmon mode is observed in a magnetic field. When the electron density at th

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4e9e3af33d85de95263151d76d1fa123

Zobrazit plný text záznamu

Optimization of the contact grid for the GaP/ Si solar cells

Autor: Bogdanova, Milana, Uvarov, Alexander, Gudovskikh, Alexander

In this paper, the calculation of electrical properties for (n)GaP-p(Si) solar cells was performed for different contact grid design. The influence of annealing temperature on the current-voltage curves of solar cells was shown via the Hall measureme

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::86548be9f68a8b11ecaeed53bea4f548

Zobrazit plný text záznamu

Разработка наноструктурированных плазмонных подложек для использо- вания в качестве датчиков ГКР

Autor: O. V. Bandeliuk, V. H. Kolobrodov

Publikováno v: Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, Вип. 70

Плазмоннi наноструктури сильно локалiзують електричне поле на їх поверхнях за допомогою колективних коливань електронiв провiдностi при

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6a048d7a7cbce9c51c7a19a16760741c
https://doi.org/10.20535/radap.2017.70.62-71

Zobrazit plný text záznamu

ВИКОРИСТАННЯ СЕНСОРА НА ОСНОВІ ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S

Publikováno v: Photoelectronics; № 21 (2012); 75-78

A novel image sensor has been developed for measuring weak optical signals. The optical information is stored as the charge of the non-equilibrium carriers trapped in the space-charge region of the heterojunction. In the visible range of the spectrum

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::f565d0d625e906302e3dd6472efa3b68
http://photoelectronics.onu.edu.ua/article/view/206298

Zobrazit plný text záznamu

Оптимизация свойств плёнок Cu2ZnSn(Ge)S4, полученных методом спрей-пиролиза, для солнечных элементов третьего поколения

Autor: Shamardin, Artem Volodymyrovych

Дисертаційна робота присвячена визначенню умов синтезу плівок CZTS методом спрей-піролізу з оптимізованими властивостями, придатних для

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::7968c59c7d2a535f4a58bea3948fcd37
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80886

Zobrazit plný text záznamu

The efficiency of solar energy conversion by the CdS/por-Si/p-Si heterostructure: the dopant effect

Autor: Tregulov, Vadim

In this paper, the effect of the distribution profile of the doping acceptor impurity concentration in the base region of the CdS/por-Si/p-Si heterostructure on the efficiency of solar energy conversion parameters has been studied. It was established

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70ba890c324cca653933c9348eca4e48

Zobrazit plný text záznamu

Розробка наноструктурованих плазмонних пiдкладок для використання в якості датчикiв ГКР

Autor: Bandeliuk, O. V., Kolobrodov, V. H.

Publikováno v: Visnyk NTUU KPI Seriia-Radiotekhnika Radioaparatobuduvannia; 70; 62-71
Вестник НТУУ" КПИ ". Серия радиотехника Радиоаппаратостроение; 70; 62-71
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; 70; 62-71

Plasmonic nanostructures strongly localize electric fields on their surfaces via the collective oscillations of conducting electrons under stimulation by incident light at certain wavelength. Molecules adsorbed onto such surfaces experiences a strong

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::645e9a9934aca8d1083efe3168a54a38
http://doi.radap.kpi.ua/article/view/221641

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání