Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"газофазная эпитаксия"'
Autor:
Павел Николаевич Бутенко, Роман Борисович Тимашов, Андрей Иванович Степанов, Алексей Иванович Печников, Андрей Владимирович Чикиряка, Любовь Игоревна Гузилова, Сергей Иванович Степанов, Владимир Иванович Николаев
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 25, Iss 4 (2023)
Оксид хрома со структурой корунда (a-Cr2O3), обладающий возможностью иметь проводимость p-типа, является привлекательным кандидатом для соз
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b5856803ddef4ae7bf42616c878e687c
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений России: Радиоэлектроника, Vol 0, Iss 5, Pp 28-35 (2017)
Heteroepitaxial silicon-on-sapphire (SOS) wafers with a layer thickness of 200 and 600 nm were fabricated by the vapor phase epitaxy with monosilane as a precursor. The assessment of structural quality of silicon-sapphire interface was carried out by
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9098dd06b70b4ba6af8e195c1e75dd1f
It is proposed the method of the synthesis of hexagonal GaN on a Si(113) substrate, on the surface of which nanostructures with an element size of about 75 nm (NP-Si(113) substrate) are formed. It has been established that the method of the metal-org
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::807c63925d049abcc060d30d7eef85a8
Autor:
Yakovlev, Nikita, Almaev, Aleksei, Butenko, Pavel, Mikhaylov, Alexey, Pechnikov, Aleksey, Stepanov, S.I., Timashov, Roman, Chikiryaka, Andrew, Nikolaev, Vladimir
Publikováno v:
Materials physics and mechanics. 2022. Vol. 48, № 3. P. 301-307
The effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 at doses of 8·1012 cm-2, 8·1014 cm-2, and energy of 100 keV on the gas-sensitive properties has been studied. It is shown that irradiation of α-Ga2O3 layer grown by halide vapor phase epitaxy with impl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cd4ad0c9d26a28744323133bca523441
Autor:
Alexander Polyakov, Vladimir Nikolaev, Sergey Stepanov, Alexei Almaev, Alexei Pechnikov, Eugene Yakimov, Bogdan O Kushnarev, Ivan Shchemerov, Mikhail Scheglov, Alexey Chernykh, Anton Vasilev, Anastasia Kochkova, Lyubov Guzilova, Stephen J Pearton
Publikováno v:
Journal of physics D: Applied physics. 2022. Vol. 55, № 49. P. 495102
Heavily Sn-doped films of α-Ga2O3 were grown by halide vapor phase epitaxy (HVPE) on basal plane c-sapphire and on (10-12) r-sapphire substrates with and without α-Cr2O3 thin buffers prepared by magnetron sputtering and annealing in air at 500 °C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::df3e101c3b2b175ae99e72789ac0c8be
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac962f
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac962f
Autor:
Alexander Polyakov, Vladimir Nikolaev, Sergey Stepanov, Alexei Almaev, Alexei Pechnikov, Eugene Yakimov, Bogdan O. Kushnarev, Ivan Shchemerov, Mikhail Scheglov, Alexey Chernykh, Anton Vasilev, Anastasia Kochkova, Stephen J. Pearton
Publikováno v:
Journal of applied physics. 2022. Vol. 131, № 21. P. 215701-1-215701-8
We report on growth and electrical properties of α-Ga2O3 films prepared by halide vapor phase epitaxy (HVPE) at 500 °C on α-Cr2O3 buffers predeposited on sapphire by magnetron sputtering. The α-Cr2O3 buffers showed a wide microcathodoluminescence
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1e9b29a375b3127100098c7feadd571f
https://doi.org/10.1063/5.0090832
https://doi.org/10.1063/5.0090832
Дисертаційна робота спрямована на розроблення наукових та практичних засад створення і дослідження приладових гетероепітаксійних стр
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::93f5271ea44a0a3d9e014405630b8319
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/43839
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/43839
Effect of ambient humidity on the electrical conductivity properties of polymorphic Ga2O3 structures
Publikováno v:
Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 3. С. 269-276
Исследовано влияние влажности окружающей среды на электрическую проводимость структур a-Ga2O3 и a-Ga2O3/"-Ga2O3. Полиморфные эпитаксиальные сло
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::d3cada1b533dfd76c5591e11000eee53
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000898568
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000898568
Данная работа посвящена исследованию методики селективного роста структур GaN, а также поиску оптимальных условий роста для получения п
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd44bb624749229fea6c0722044c3f8c
Пособие содержит указания к выполнению семи базовых лабораторных работ по исследованию различных химико-технологических процессов пр
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3992::57e6dd79d989f1b682082bd5540e4f67
https://elib.belstu.by/handle/123456789/30241
https://elib.belstu.by/handle/123456789/30241