Výsledky vyhledávání - "времена релаксации"

Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях

Autor: Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych, Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych, Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych

Publikováno v: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 3 (2019); 20-32

The article proposed a method for modeling and analyzing the high-frequency properties of multi-valley semiconductors, in particular, GaN, AlN and InN. The model is applied to state-of-the-art, promising and relevant materials GaN, AlN and InN, which

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::bb3c2d069c1ff2fecfa6b0654c6f1981
http://elc.kpi.ua/article/view/178841

Zobrazit plný text záznamu

Relaxation Processes in Submicron Heterotransistors with a System of Quantum Wells

Autor: Baida, Iryna Petrivna, Kulikov, Kostiantyn Viacheslavovych, Moskaliuk, Volodymyr Oleksandrovych, Tymofieiev, Volodymyr Ivanovych

Publikováno v: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 2 (2019); 14-24

The analysis of relaxation processes in submicrometer heterostructure transistors with the system of quantum walls is investigated. The methods of nano heterostructure design are developed including quantum effects and specific for ternary alloys sca

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::a9ffdec9c805571e0d062e973331e729
http://elc.kpi.ua/article/view/169269

Zobrazit plný text záznamu

Frequency Dispersion of Dielectric Permittivity and Dielectric Losses in Aqueous KCl and CsCl Solutions Depending on Their State Parameters

Autor: Odinaev, S., Makhmadbegov, R. S.

Publikováno v: Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 12 (2015); 1211
Український фізичний журнал; Том 60 № 12 (2015); 1211

The frequency spectra of the coefficients of dielectric permittivity
На основе аналитических выражений коэффициентов диэлектрической проницаемости

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn20710194::9d8c6f2d9fe791215431bbfaa88003d7
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019136

Zobrazit plný text záznamu

Relaxation Processes in Submicron Heterotransistors with a System of Quantum Wells

Publikováno v: Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал, 2019, Т. 24, № 2(109)

У роботі наведено аналіз релаксаційних процесів у субмікронних гетероструктурних транзисторах з системою квантових ям. Розроблено мет

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::7af9d4e236ecad1f100bd47b10185c2e
https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.2.169269

Zobrazit plný text záznamu

High-Frequency Properties of GaN, AlN and InN in Strong Fields

Publikováno v: Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал, 2019, Т. 24, № 3(110)

У статті запропоновано метод моделювання і аналізу високочастотних властивостей многодолинних напівпровідників, зокрема GaN, AlN і InN. Мод

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::1807e4e7a2b0e35cead2e0b9dcb339f5
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/33301

Zobrazit plný text záznamu

Расчёт коэффициентов трения и времён релаксации ионов водных растворов KCl и СsCl в зависимости от параметров состояния

Publikováno v: Доклады Академии наук Республики Таджикистан.

При определённом выборе модели раствора, потенциала межионного взаимодействия и радиальной функции распределения, а также на основе ан

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806::c75fe5140d4344f4a7bc8d9e26cb78b7
http://cyberleninka.ru/article/n/raschyot-koeffitsientov-treniya-i-vremyon-relaksatsii-ionov-vodnyh-rastvorov-kcl-i-sscl-v-zavisimosti-ot-parametrov-sostoyaniya

Zobrazit plný text záznamu

Распределение времен релаксации ЯКР во вращающейся системе координат в микроразмерных кристаллитах

Publikováno v: Вестник Балтийского федерального университета им. И. Канта. Серия: Физико-математические и технические науки.

Приводятся результаты экспериментального исследования влияния размеров кристаллитов порошка на длительность спин-решеточной релакса

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2806::c6589c14660d8d9c2451c92cfe6e5f78
http://cyberleninka.ru/article/n/raspredelenie-vremen-relaksatsii-yakr-vo-vraschayuscheysya-sisteme-koordinat-v-mikrorazmernyh-kristallitah

Zobrazit plný text záznamu

Импульсные транспортные свойства тринитридов

Autor: Bol, K., Moskaliuk, V.

Publikováno v: Electronics and Communications: научно-технический журнал
Electronics and Communications; Том 19, № 5 (2014); 26-31
Электроника и Связь; Том 19, № 5 (2014); 26-31
Електроніка та Зв'язок; Том 19, № 5 (2014); 26-31

Based on relaxation equations of energy balance, momentum and occupation of valleys was modelling the transitional effect „overshoot” of drift velocity in threenitrids on the example of aluminium nitride, gallium nitride, indium nitride. The poss

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a0f5c19a8d46d246ba48d3328fad21f2
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10987

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání