Zobrazeno 1 - 10
of 279
pro vyhledávání: '"вольт-амперні характеристики"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gorishnyi , M.P.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 11 (2011); 1203
Український фізичний журнал; Том 56 № 11 (2011); 1203
Український фізичний журнал; Том 56 № 11 (2011); 1203
The hysteresis of dark current-voltage characteristics (JVC) has been observed for the first time for polythiopentacene (PTP) films1540 nm in thickness in sandwich-like ITO(PTP)Ag cells at room temperature and in the range of applied voltages V from
Вивчається вплив легування кобальтом фериту нікелю на електропровідність, діелектричні властивості (вимірювані в широкому діапазоні ч
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::31efd4860cf0017e37b84a2d90ed9f1b
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/83345
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/83345
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics. 56:1203
Вперше спостерігали гістерезис темнових вольт-амперних характеристик (ВАХ) плівок політіопентацену (ПТП), товщиною 1540 нм у сендвічних к
Повідомляється про структуру і електрофізичні властивості острівцевих плівок золота на поверхні нітриду алюмінію. Сообщается о структ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::c24cf6aef9d348387fcf76053e918469
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167276
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167276
Магніторезистори – електронні компоненти, принцип функціонування яких заснований на зміні електричного опору металу або напівпровідн
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::b26842115c0b7dd95b3491895ae531fe
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65244
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65244
Autor:
V. M. Matiushin, E. P. Zhavzharov
Publikováno v:
Radio Electronics, Computer Science, Control; № 2 (2010): Radio Electronics, Computer Science, Control
Радиоэлектроника, информатика, управление; № 2 (2010): Радиоэлектроника, информатика, управление
Радіоелектроніка, iнформатика, управління; № 2 (2010): Радіоелектроніка, інформатика, управління
Радиоэлектроника, информатика, управление; № 2 (2010): Радиоэлектроника, информатика, управление
Радіоелектроніка, iнформатика, управління; № 2 (2010): Радіоелектроніка, інформатика, управління
Анотація
Publikováno v:
Радіоелектроніка, інформатика, управління.
Представлено результати експериментального дослідження дії атомарного водню на гетероструктури на основі Si та Ge. Показано, що обробка