Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5(78) (2015): Applied physics; 32-40
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; 32-40
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40

The paper describes the development of technology of multicharged ion implantation for GaAs. This technology is essential to creating high-performance VLSI structures. The main advantage of ion implantation of GaAs is optimizing the doping profile fo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::0dd3e81dce9f912e5689280f6b4d3f7d
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233