Zobrazeno 1 - 10
of 150
pro vyhledávání: '"арсенид галлия"'
Autor:
V. N. Mishchenka
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 8, Pp 99-102 (2019)
Modeling results of average drift speed of electrons are given in one-dimensional structure from gallium arsenide. Recommendations about a choice of sizes of a temporary step and length of a spatial cell which define procedure of numerical modeling a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/de2431024eac4a33b13f4d23c5bd13ef
Autor:
V. N. Mishchenka
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 5, Pp 5-11 (2019)
Приведены результаты моделирования средней дрейфовой скорости электронов в одномерной полупроводниковой структуре из арсенида галли
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/423776a4e5664188aa55b9200031268f
Publikováno v:
Russian physics journal. 2022. Vol. 64, № 12. P. 2350-2356
A study of the formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs has been carried out. The formation of dislocations in GaAs diffusion layers doped with various impurities (elements of II, IV, and VI groups and transition element
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспе
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::1fda4d71e3bbad63bb38245eeef42880
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997660
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997660
Представлен анализ перспектив применении элементной базы на основе перовскита в солнечной энергетике. Выявлены преимущества и недоста
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60de1cf997cd6607f57a067e7685493f
Autor:
Petruk, Anton, Kharin, Nikita, Vinnichenko, Maxim, Norvatov, Ilya, Fedorov, Vladimir, Firsov, Dmitry
The work is devoted to the study of the possibility of increasing the intensity of low temperature terahertz luminescence in semiconductor structures with bulk epitaxial n-GaAs layers doped with silicon donors under interband optical pumping. Such an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::65e65f814740691ce050b56fb3bf6315
Publikováno v:
Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Эксперимен
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3810::0ef69d133c939e7112b51412c68a9d76
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997895
https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997895
Publikováno v:
Russian physics journal. 2021. Vol. 63, № 11. P. 1997-2003
A configuration and test samples of photoconductive dipole antennas based on SI-GaAs:Cr and LT-GaAs for generation and detection of terahertz radiation are developed. Their operating characteristics in the pulsed mode and in the mode of operation as
Autor:
Shandyba, Nikita, Kirichenko, Danil, Chernenko, Natalia, Eremenko, Mikhail, Balakirev, Sergey, Solodovnik, Maxim
The paper presents the results of experimental studies of GaAs nanowire growth on Si(111) substrate with Ga focused ion beam modified areas with different treatment doses. We observed a significant difference between the parameters of nanowires array
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5da63f7ece68f0073d59ea0fb9f44337
В настоящей работе методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с каналированием (РОРКИ) исследовано дефектоо
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3992::5d94d0e52e90ac822f07bab4c9fd744f
https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020
https://elib.belstu.by/handle/123456789/57020