Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"аммиачная МЛЭ"'
In this paper, we present the results of the calculated and experimental dependence of photoluminescence on the excitation power density for GaN:Si layers grown by molecular beam epitaxy. A model was constructed for transitions in a compensated semic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::621684c6e8447ec0098a7a2ce65bf3d3
In this work the transformation kinetics of GaN pseudomorphic layer and the lattice constant evolution of 2D GaN “frozen” layer under sequential switching off/on of ammonia flow at a growth temperature of 740 °C were investigated by reflection h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce2d6a18ab44e13f8302c0fb9bf89e8a
Publikováno v:
Физика и техника полупроводников. 56:677
Методами атомно-силовой микроскопии и динамической вторично-ионной масс-спектрометрии были исследованы структурные свойства и структ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9fc45e3aae5d1986710db1bbc4135e9d
https://doi.org/10.21883/ftp.2022.07.52759.14
https://doi.org/10.21883/ftp.2022.07.52759.14
Publikováno v:
Физика и техника полупроводников. 56:802
Представлены результаты расчетной и экспериментальной зависимостей интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбужден
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::36398e4de28cc515135481521325a8bf
https://doi.org/10.21883/ftp.2022.08.53148.34
https://doi.org/10.21883/ftp.2022.08.53148.34