Моделирование явления инверсии градиента профиля алюминия при жидкофазной эпитаксии гетероструктур GaAl(P,As,Sb)

Autor: Dombrougov, Mikhail Removych

Publikováno v: Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 24, Iss 1 (2019)
Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 24, № 1 (2019); 6-14
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 24, № 1 (2019); 6-14
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 24, № 1 (2019); 6-14

The inversion of the aluminum profile gradient in the epitaxial Ga-Al-Nm (Nm=P, As, Sb) heterostructures grown by the forced cooling from a liquid phase were investigated.Simulation of the liquid phase epitaxy is carried out in the Pfann approximatio

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::27c4815c2de9d1f11679c0b754dfe940
http://elc.kpi.ua/article/view/160164

Влияние кислорода и углерода на образование окислительных дефектов упаковки в монокристаллическом кремнии

Publikováno v: ScienceRise; Том 11, № 2 (16) (2015); 6-10

Экспериментально установлено, что плотность окислительных дефектов упаковки (ОДУ) в монокристаллических пластинах кремния, легированн

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::bec681da6f86eb52897e1f6c1b0cde4b
http://journals.uran.ua/sciencerise/article/view/53451

Construction of hybrid autonomous and backup power supply for complex solar systems

Publikováno v: Technology audit and production reserves; Том 2, № 1(22) (2015): Energy, energy-saving technologies and equipment. Electrical engineering and industrial electronics; 33-38
Technology audit and production reserves; Том 2, № 1(22) (2015): Енергетика, енергозберігаючі технології та обладнання. Електротехніка та промислова електроніка; 33-38
Technology audit and production reserves; Том 2, № 1(22) (2015): Энергетика, энергосберегающие технологии и оборудование. Электротехника и промышленная электроника; 33-38

Показана перспективність дослідження різних типів мікроконтролерних блоків для фотоелектричних перетворювачів. Було досліджено і роз

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::2c0fd450f81029cafbdcd924930a0a9f
http://journals.uran.ua/tarp/article/view/41412

Вплив технологічних умов отримання кристалів СdTe:V на їх рівноважні характеристики

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 9(72) (2014): Information and controlling system; 32-36
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 9(72) (2014): Информационно-управляющие системы; 32-36
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 9(72) (2014): Інформаційно-керуючі системи; 32-36

The equilibrium characteristics of conductivity s(Т) and Hall coefficient RH(Т) were researched in temperature region of 290 – 430 К for CdTe:V single crystal. Samples under study were taken from different parts of the ingots grown by vertical B

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::ad99b31e00483cfe4fb01b507b170377
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/33649

Study of surface multicrystalline substrates silicon saturated aqueous by mass spectroscopy

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1, № 5(67) (2014): Applied physics; 34-37
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 1, № 5(67) (2014): Прикладная физика; 34-37
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 1, № 5(67) (2014): Прикладна фізика; 34-37

Hydrogen-saturated surfaces of multicrystalline silicon substrates Baysix with porous silicon, used in the photoelectric converters production were studied using mass-spectrometry methods. Hydrogen saturation was carried out by electrochemical hydrog

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::af5fdf869923cd95d5a91707a253dba8
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/21053