Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5(78) (2015): Applied physics; 32-40
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; 32-40
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40

The paper describes the development of technology of multicharged ion implantation for GaAs. This technology is essential to creating high-performance VLSI structures. The main advantage of ion implantation of GaAs is optimizing the doping profile fo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::0dd3e81dce9f912e5689280f6b4d3f7d
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233

On the possibility of energy generation in electrical discharges

Autor: Kuznetsov, G . F., Kleshchev, D. G., Krymsky, V. V., Lavrentiev, S. I., Gurevich, S. Y.

Описана экспериментальная установка и результаты исследования возможности получения тепловой и электрической энергии при электричес�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2425::75b16fca77197e6ac0a23895f8a5a734
http://dspace.susu.ac.ru/handle/0001.74/1067

PHYSICAL AND TECHNOLOGICAL FEATURES OF FORMATION OF METALLIZATION OF SUBMICRON ARSENIDE-GALLIUM STRUCTURES IN LARGE-SCALE INTEGRATED CIRCUITS BY ION MILLING. (English)

Autor: Novosyadliy, Stepan, Kindrat, Taras, Melnik, Lubomyr, Varvaruk, Vasiliy

Publikováno v: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; 2013, Vol. 4 Issue 5, p3-6, 4p