Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Последовательное сопротивление"'
Рассмотрены основные теоретические сведения по характеристикам фотоэлектрических модулей (ФЭМ), предложены методики графического и ан
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2959::e9d0ce95f27b32197af3e9c6f7bd2d24
https://elib.gstu.by/handle/220612/26285
https://elib.gstu.by/handle/220612/26285
Autor:
Аль-Арики, Н. A. С.
Представлены результаты исследований влияния тонкопленочных покрытий на основе SiO2 : Cux и SiO2 : Nix на КПД фотоэлементов (использовались фот
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2959::2e9c33295b146b5c5dc6409acb74f7f0
https://elib.gstu.by/handle/220612/26673
https://elib.gstu.by/handle/220612/26673
A method is proposed for calculating the series resistance of a photoelectric module based on experimental measurements. The technique is based on subtracting the theoretical current-voltage characteristic of the module from its experimental current-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2959::3e44de8df85e149ce5647228900a3ccf
https://elib.gstu.by/handle/220612/25974
https://elib.gstu.by/handle/220612/25974
Точность основных качественных показателей барьерных переходов (высота барьера 𝝋b и фактор неидеальности η), зависит от точности измер
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::341f4761c0b137b9abb0f6b786199286
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66256
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66256
Publikováno v:
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12(60) (2012): Sensory semiconductor devices; 34-36
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорные полупроводниковые приборы; 34-36
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорні напівпровідникові пристрої; 34-36
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорные полупроводниковые приборы; 34-36
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12(60) (2012): Сенсорні напівпровідникові пристрої; 34-36
Виготовлені гетероструктури n-ТіN/n-Si методом реактивного магнетронного розпилення. Виміряно вольт-амперні характеристики (ВАХ) гетерос
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::58a09eeea73f701f171050464882f533
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6024
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6024
