Výsledky vyhledávání - "МОС-гідридна епітаксія"

Формирование варизонной активной области фотоэлектрического преобразователя на основе твердых растворов AlGaAs модуляцией потока триметилалюминия в методе МОС-гидридной эпитаксии

Представлено методику формування гетероструктури nGaAs\рAlGaAs\р+GaAs за допомогою методу МОС-гідридної епітаксії в температурному діапазоні

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::bd9f927d6a8064d488a7f99479cb0d19
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70714

Zobrazit plný text záznamu

REASEARCH OF TECHNOLOGICAL REQUIREMENTS FOR INFRARED PHOTODETECTOR BASED ON QUANTUM WALL STRUCTURES (QWS)

Autor: Molodyk, Anatoliy, Ponomarenko, Alexandr, Baltabaev, Nicolaiy

Publikováno v: Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія Приладобудування; № 48(2) (2014); 130-138
Вестник Национального технического университета Украины "Киевский политехнический институт". Серия приборостроение; № 48(2) (2014); 130-138
Bulletin of National Technical University of Ukraine "Kyiv Polytechnic Institute". Series Instrument Making; № 48(2) (2014); 130-138

Вже багато років за кордоном приділяють особливу увагу розробці нових та перспективних фотоприймачів. Зокрема, фотоприймачі для довгох

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::21eda900ad1c333b941cacc9edf0b732
http://visnykpb.kpi.ua/article/view/36052

Zobrazit plný text záznamu

Comparison of efficiency recombination of nonequilibrium carriers in structures with quantum dots and quantum wells, grown by mocvd

Autor: Avksentyev, Yu., Parfenuk, P.

Publikováno v: Electronics and Communications; Том 19, № 2 (2014); 30-35
Электроника и Связь; Том 19, № 2 (2014); 30-35
Електроніка та Зв'язок; Том 19, № 2 (2014); 30-35

В статье приводятся результаты сравнения эффективности рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках (QDs) и квантовых яма

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::bd68fb8fe2037ce2d8cb6d82dac81763
http://elc.kpi.ua/old/article/view/142193

Zobrazit plný text záznamu

Порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв у структурах із квантовими точками й квантовими ямами, вирощених методом МОС-гідридної епітаксії

Autor: Avksentyev, Yu., Larkin, S., Parfenuk, P.

Publikováno v: Electronics and Communications: научно-технический журнал

У статті наводяться результати порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв в ІnGa квантових точках (QDs) і квантових ямах (QW

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::9eae831fdba0a3e620402efe539d3173
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125

Zobrazit plný text záznamu

Дослідження технологічних вимог до фотоприймального пристрою інфрачервоного діапазону на основі структур з квантовими ямами

Autor: Molodik, A. V., Ponomarenko, A. A., Baltabaev, N. N.

Publikováno v: Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових праць

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::deb60da1584990e7013ebc0db45730ff
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10889

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії (Ukrainian)

Autor: Круковський, С. І., Ільчук, Г. А., Круковський, Р. С., Семків, І. В., Змійовська, Е. О., Токарєв, С. В.

Publikováno v: Journal of Nano- & Electronic Physics; 2018, Vol. 10 Issue 3, p03025-1-03025-5, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Формування квантових точок InAs в матриці GaAs у кінетичному режимі для CVD-методу (Ukrainian)

Autor: Губа, С. К.

Publikováno v: Journal of Nano- & Electronic Physics; 2017, Vol. 9 Issue 3, p03026-1-03026-4, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání