Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"Квантова точка"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 68 No. 1 (2023); 53
Український фізичний журнал; Том 68 № 1 (2023); 53
Український фізичний журнал; Том 68 № 1 (2023); 53
An expression for the Gibbs–Thomson formula in the nanometer interval from 1 to 10 nm is obtained, in which the surface energy σ0 depends on the particle size r. It is shown that the account for the dependence σ(r) changes the solubility of nanop
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn20710194::482a05ddb83204f3800152e2c28203bc
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020017
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020017
Publikováno v:
Condensed Matter Physics. 2018, Vol. 21 Issue 1, p1-9. 9p.
Розроблено модель, яка дозволяє визначати спектр акустичних коливань сферичної квантової точки (КТ) виду ядро/багатошарова оболонка у м
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::165c83918cf3ba6a73102f64a0cf529a
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85315
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85315
Publikováno v:
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 3 (2020); 4-11
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 3 (2020); 4-11
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 3 (2020); 4-11
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 3 (2020); 4-11
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 3 (2020); 4-11
The change of Tamm surface states in the InAs quantum dots of the InAs/GaAs heterosystem due to the interaction of quasiparticles (electrons) with the elastic deformation of the crystal lattice on the surface of the quantum dot has been studied. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::a752c8a27d9f597b40dcacd5efecce50
http://semst.onu.edu.ua/article/view/205924
http://semst.onu.edu.ua/article/view/205924
Autor:
Hrushka, V. I., Peleshchak, R. M.
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 62 No. 11 (2017); 984
Український фізичний журнал; Том 62 № 11 (2017); 984
Український фізичний журнал; Том 62 № 11 (2017); 984
The potential well depth for an electron in a nanoheterosystem with quantum dots has been calculated in the framework of the self-consistent electron-deformation model. It is shown that the strained InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs spherical quan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn20710194::57155fe06722576492107170746b85e2
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018613
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018613
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 14, № 1 (2017); 21-30
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 14, № 1 (2017); 21-30
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 14, № 1 (2017); 21-30
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 14, № 1 (2017); 21-30
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 14, № 1 (2017); 21-30
The aim of article is to analyze the conditions of the interface states arise which caused by the polarization trap, and determine the impact of these conditions on the light absorption. Therefore, it was determined the energy of interface states cau
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a0579910632167e1c382e7199679371e
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2017.1.96434
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2017.1.96434
Autor:
Цибульский, Леонід Юрійович
В магістерській дисертації проведено огляд науково-технічної літератури по призначенню та конструкції датчиків інфрачервоного випром
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::563253aeadd5feef7bf7e214b6bd0112
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/30579
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/30579
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 5 (2019); 425
Український фізичний журнал; Том 64 № 5 (2019); 425
Український фізичний журнал; Том 64 № 5 (2019); 425
Semiconductor quantum dots are promising nanostructures for their application in solar cells of the 3rd generation, photodetectors, light emitting diodes, and as biological markers. However, the issue concerning the influence of superficial organic s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn20710194::a0e71271ef63326f5ce31fb488402ebd
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019168
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019168