Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Арсенід галію"'
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 3, Pp 311-317 (2019)
In this paper, the structure of GaAs FET on a silicon substrate, suitable for local integration in the local SOItechnologyand the method of its electrophysical diagnostics based on changes in the thermal resistance (RT), isanalyzed. It is known [3,4]
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b52e1eb84f464bfe8decc0de638ed432
В статті представлені результати по особливостях формування низькотемпературного арсеніду галію під впливом комплексного легування р
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::c9fbb37be644bfa524ad58475cfb51d6
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87659
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/87659
Autor:
Abdelkrim, Mostefai
Основою роботи компонентів сучасної електроніки – діодів, транзисторів, тощо – є можливість керування електропровідністю напівпровід
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::e7aea941fd29ce0166a667778accf75d
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89209
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89209
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 20, Iss 3, Pp 311-317 (2019)
In this paper, the structure of GaAs FET on a silicon substrate, suitable for local integration in the local SOI technology and the method of its electrophysical diagnostics based on changes in the thermal resistance (RT), is analyzed. It is known th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0ff5a9e3b1f7890965d8d854e0f78cc4
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3969
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3969
Autor:
Осінський, Володимир Іванови
Дана бакалаврьска робота присвячена ефективності фотоелектричних перетворювачів на матеріалах АIIIBV. Метою роботи є дослідження характ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2635::1f9c9b37faf1c2232ccbc467e0368099
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42260
https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42260
Publikováno v:
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 12 (102) (2019): Матеріалознавство; 39-45
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12 (102) (2019): Материаловедение; 39-45
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12 (102) (2019): Materials Science; 39-45
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 12 (102) (2019): Материаловедение; 39-45
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 12 (102) (2019): Materials Science; 39-45
The use of modern applied computer programs expands the possibility of multicomponent statistical analysis in materials science. The procedure for applying the method of multiple correlation and regression analysis for the study and modeling of multi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::2ff6dd4ce2f86279b30eb44b2abab150
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/188512
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/188512
Publikováno v:
Physics and Chemistry of Solid State; Vol 20, No 3 (2019); 311-317
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 20, No 3 (2019); 311-317
Фізика і хімія твердого тіла; Vol 20, No 3 (2019); 311-317
In this paper, the structure of GaAs FET on a silicon substrate, suitable for local integration in the local SOItechnologyand the method of its electrophysical diagnostics based on changes in the thermal resistance (RT), isanalyzed. It is known [3,4]
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=vasylstefany::b820a00ab3aa1685851b66d99022f684
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3969
http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3969
Autor:
Mayboroda, І. М., Babenko, V. P.
Publikováno v:
Збірник наукових праць Національної академії Національної гвардії України; Том 2, № 26 (2015); 106-109
The collection of scientific works of the National Academy of the National Guard of Ukraine; Том 2, № 26 (2015); 106-109
The collection of scientific works of the National Academy of the National Guard of Ukraine; Том 2, № 26 (2015); 106-109
In the article presents the following results: firstly, the numerical experiments on the generation of oscillations by means of Gunn diodes based on graded-gap AlGaInAs has been carried out, secondly, the parameters has been optimized and, thirdly, d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::ea1ff776def84b48d06591993ab84607
http://znp.nangu.edu.ua/article/view/139253
http://znp.nangu.edu.ua/article/view/139253
Autor:
Vambol, Sergij, Bogdanov, Ihor, Vambol, Viola, Suchikova, Yana, Lopatina, Hanna, Tsybuliak, Natalia
Publikováno v:
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5 (90) (2017): Прикладна фізика; 22-31
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5 (90) (2017): Прикладная физика; 22-31
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5 (90) (2017): Applied physics; 22-31
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5 (90) (2017): Прикладная физика; 22-31
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5 (90) (2017): Applied physics; 22-31
The method for the formation of porous gallium arsenide in a solution of hydrochloric acid was improved. The goal of present research was to establish correlation between conditions of electrochemical etching of gallium arsenide crystals and morpholo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::dcc044f2a343539a344bc6d0e9c47903
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/118725
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/118725
Точность основных качественных показателей барьерных переходов (высота барьера 𝝋b и фактор неидеальности η), зависит от точности измер
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::341f4761c0b137b9abb0f6b786199286
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66256
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66256