Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"β-Ga2O3 nanowire"'
Autor:
Zhang Liying, Xiu Xiangqian, Li Yuewen, Zhu Yuxia, Hua Xuemei, Xie Zili, Tao Tao, Liu Bin, Chen Peng, Zhang Rong, Zheng Youdou
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 9, Iss 15, Pp 4497-4503 (2020)
Vertically aligned nanowire arrays, with high surface-to-volume ratio and efficient light-trapping absorption, have attracted much attention for photoelectric devices. In this paper, vertical β-Ga2O3 nanowire arrays with an average diameter/height o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ef5e7bfb83604301b6c81e589c401fa2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 8, p 2013 (2021)
One of the promising nonvolatile memories of the next generation is resistive random-access memory (ReRAM). It has vast benefits in comparison to other emerging nonvolatile memories. Among different materials, dielectric films have been extensively s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5e7dd9b58040431fa3835d95b1d58233
Autor:
Chunhong Zeng, Yongjian Ma, Mei Kong, Xiaodong Zhang, Wenkui Lin, Qi Cui, Yuhua Sun, Xuemin Zhang, Tiwei Chen, Xuan Zhang, Baoshun Zhang
Publikováno v:
Materials Research Express, Vol 8, Iss 5, p 055903 (2021)
Driven by the requirement to ultraviolet detection, β -Ga _2 O _3 UV photodetectors have attracted great attention. Using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor, we grew β -Ga _2 O _3 nanowires array on a GaN substrate using Ga a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ada85eacc8204d26b8061be68692655c
Autor:
Hua Xuemei, Tao Tao, Xiangqian Xiu, Li Yuewen, Zili Xie, Rong Zhang, Youdou Zheng, Bin Liu, Liying Zhang, Peng Chen, Yuxia Zhu
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 9, Iss 15, Pp 4497-4503 (2020)
Vertically aligned nanowire arrays, with high surface-to-volume ratio and efficient light-trapping absorption, have attracted much attention for photoelectric devices. In this paper, vertical β-Ga2O3 nanowire arrays with an average diameter/height o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0bc6a86816363b7cd9eecc095439fc7f
https://doi.org/10.1515/nanoph-2020-0295
https://doi.org/10.1515/nanoph-2020-0295
Publikováno v:
Nanomaterials
Volume 11
Issue 8
Nanomaterials, Vol 11, Iss 2013, p 2013 (2021)
Volume 11
Issue 8
Nanomaterials, Vol 11, Iss 2013, p 2013 (2021)
One of the promising nonvolatile memories of the next generation is resistive random-access memory (ReRAM). It has vast benefits in comparison to other emerging nonvolatile memories. Among different materials, dielectric films have been extensively s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ed67f92ec124b87b15bacb9b0238ff7d
https://doi.org/10.3390/nano11082013
https://doi.org/10.3390/nano11082013
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.