Growth, characterization and properties of new high tech materials

Autor: Πολίτης, Κωνσταντίνος, Grammatikopoulos, Spyridon, Αλεξίου, Γεώργιος, Βελγάκης, Μιχαήλ, Καπακλής, Βασίλειος, Λιανός, Παναγιώτης, Πουλόπουλος, Παναγιώτης, Σιγάλας, Μιχαήλ

Το αντικείμενο της παρούσας Διδακτορικής Διατριβής είναι η ανάπτυξη νέων υλικών για σύγχρονες τεχνολογικές εφαρμογές. Για αυτό τον λόγ�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1047::bc8f9af403f8ec456ac63347cdacb768
http://hdl.handle.net/10889/6740

Ιδιότητες νανοκαλωδίων που έχουν ως βάση το πυρίτιο

Autor: Kaltsas, Dimitris E.

Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο--Μεταπτυχιακή Εργασία. Διεπιστημονικό-Διατμηματικό Πρόγραμμα Μεταπτυχιακών Σπουδών (Δ.Π.Μ.Σ.) “Φυσική και Τ

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1168::7537a9977d841bde062fe6e72ad60443

Ανάπτυξη υμενίων Αl2O3 σε υποστρώματα p-Ge με τη μέθοδο ALD : μελέτη διεπιφανειακών ιδιοτήτων συναρτήσει του πάχους και της θερμοκρασίας

Autor: Μποτζακάκη, Μάρθα

Θέμα της παρούσας ερευνητικής εργασίας είναι η μελέτη διατάξεων MOS σε υπόστρωμα Ge τύπου –p. Ως διηλεκτρικό πύλης χρησιμοποιήθηκε Al2O3 και

Externí odkaz: http://hdl.handle.net/10889/5098

Atomic Layer Deposition (ALD) of ZrO2 thin films on p type Ge : temperature dependence of interfacial properties and conductivity mechanisms

Autor: Σκαρλάτος, Δημήτριος, Kerasidou, Ariadne, Γεωργά, Σταυρούλα, Κροντηράς, Χριστόφορος

Στην παρούσα Εργασία λεπτά υμένια (5 -25 nm) ZrO2 έχουν εναποτεθεί με τη μέθοδο ALD σε μη αδρανοποιημένο (100) Ge τύπου-p, με ειδική αντίσταση 0.2-0.5 Ω-cm

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1047::1852dad8a0f4848166ca4285c979aa42
http://hdl.handle.net/10889/5099