Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Ž. Rutkūnienė"'
Autor:
Z. Rutkuniene
Publikováno v:
Physical Sciences and Technology, Vol 8, Iss 1-2, Pp 35-40 (2021)
The aim of this experimental work is to identify how the surfaces of materials that are most often used in medical implants and prostheses, affect the properties of the deposited amorphous carbon films. The DLC films were formed on the stainless stee
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2a7e0eca6e634cd9b4ae9e261e341670
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 128:915-918
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::68023110e2d7036d316546e105e9fdf2
https://doi.org/10.12693/aphyspola.128.915
https://doi.org/10.12693/aphyspola.128.915
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Vacuum. 78:593-597
The present work provides results for amorphous hydrogenated carbon (a-C:H) films deposited by a direct ion beam deposition method. Acetylene (C 2 H 2 ) precursors and their mixture with hydrogen (H 2 ) were used. The films were characterized by Rama
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2463b1c30b31e8dfd95aad93cfd8f3a8
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2005.01.092
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2005.01.092
Autor:
Jurgita Laurikaitienė, A. Jotautis, L. Augulis, M. Šniurevičiūtė, Ž. Rutkūnienė, Diana Adlienė
Publikováno v:
Vacuum. 83:S159-S161
Radiation induced stress and strain have been investigated in amorphous hydrogenated DLC films after their exposure to high-energy (12 MeV) electrons, produced in the medical linear accelerator. DLC structures of different hydrogen contents and thick
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8cf5c96a047388c38065455fc1ef6e28
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2009.01.052
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2009.01.052
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Technologies Based on Wave and Beam Generated Plasmas ISBN: 9789048151912
Anisotropic etching of silicon in fluorine atom rich plasmas are practically impossible under most plasma etching condition because of rapid spontaneous chemical reaction between and Si. The main goal is to achieve the anisotropy of etching using mix
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4c32a794523d3636cb0f58aaf6a03472
https://doi.org/10.1007/978-94-017-0633-9_20
https://doi.org/10.1007/978-94-017-0633-9_20
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.