Zobrazeno 1 - 10
of 167
pro vyhledávání: '"Š. Lányi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Š. Lányi, Tibor Hianik, Ivana Karpisova, V. Nadáždy, Alexandra Poturnayova, K. Gmucová, Maja Šnejdárková
Publikováno v:
Procedia Chemistry. 6:60-68
The interaction of cytochrome c (cyt c) with the calix[6]arene carboxylic acid derivative (tOct[6]CH2COOH) (CX) incorporated into supported lipid membranes (sBLM) composed of dimyristoylphosphatidylcholine (DMPC) were investigated in the metal/insula
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V. Nádaždy, Š. Lányi
Publikováno v:
Ultramicroscopy. 107:963-968
The performance of a novel instrument, the Scanning Charge-Transient Microscope, is demonstrated by analysis of defect states in thin-film transistors fabricated in location-controlled single-grain crystallised amorphous silicon. In the instrument, t
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Thin Solid Films. 249:44-49
The growth rate of GaAs anodic oxide in radio-frequency plasma at low temperatures can be strongly affected by an ultrathin aluminum layer (