Výsledky vyhledávání - "Öztürk, M. K"

Autor: Akpınar, Ö., Bilgili, A. K., Başköşe, Ü. C., Öztürk, M. K., Özçelik, S., Özbay, Ekmel

Publikováno v: Journal of Materials Science: Materials in Electronics

In this study, AlInN/AlN high electron mobility transistor (HEMT) structure is grown on c-oriented sapphire substrate using metal organic chemical vapor deposition method. Optical properties of the structure are investigated by photoluminescence (PL)

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3533::c9875407fc0050e68fe26d0504623af0
https://hdl.handle.net/11693/55050

Zobrazit plný text záznamu

Analysis of the Mosaic Defects in Graded and Non Graded InxGa1-xN Solar Cell Structures

Autor: Kars Durukan, İ., Öztürk, M. K., Özçelik, S., Özbay, Ekmel

Publikováno v: Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, Vol 21, Iss 1, Pp 235-240 (2017)
Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi

In this study, graded (A) InxGa1-xN (10.5 ≤ x ≤ 18.4) and non graded (B) InxGa1-xN (13.6 ≤ x ≤ 24.9) samples are grown on c-oriented sapphire substrate using the Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) technique. The structural, opti

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::95cad56e2b6a851b3a2e2966f7748019
http://dergipark.ulakbim.gov.tr/sdufenbed/article/view/5000193591

Zobrazit plný text záznamu

On the elastic properties of INGAN/GAN LED structures

Autor: Bilgili, A. K., Akpınar, Ö., Öztürk, M. K, Başköse, C., Özçelik, S., Özbay, Ekmel

Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science and Processing

© 2019, Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature. In this study, three InGaN/GaN light-emitting diode (LED) structures with five periods are investigated grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. During growth

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::21e97b2b129df6a6a9265ccf497eccb3
https://avesis.gazi.edu.tr/publication/details/f9e814b5-30d7-487c-bd32-2ecdee319920/oai

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Beyaz Led uygulamaları için InGaN LED yapıların analizi

Autor: Durukan, İ. K., Öztürk, M. K., Özçelik, S., Özbay, Ekmel

Publikováno v: Politeknik Dergisi-Journal of Polytechnic

In this paper, blue-light InGaN/GaN light-emitting diodes were deposited on sapphire substrate by the Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) to investigate the properties of blue LEDs with various well thickness having different indium compo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3533::f757475dee2fa6d4054b737c0dfa8d1a
https://hdl.handle.net/11693/54373

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Strain-Stress Analysis of AlGaN/GaN Heterostructures With and Without an AlN Buffer and Interlayer.

Autor: Öztürk, M. K.¹, Altuntaş, H.¹, Çörekçi, S.¹, Hongbo, Y.², Özçelik, S.¹, Özbay, E.²

Publikováno v: Strain. Dec2011 Supplement, Vol. 47, p19-27. 9p. 1 Diagram, 7 Charts, 2 Graphs.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Structural, morphological, and optical properties of AlGaN/GaN heterostructures with AlN buffer and interlayer.

Autor: Çörekçi, S., Öztürk, M. K., Akaoğlu, B., Çakmak, M., Özçelik, S., Özbay, E.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/2007, Vol. 101 Issue 12, p123502, 6p, 2 Diagrams, 2 Charts, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání