Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Ö. Tüzün Özmen"'
WOS: 000485256900018 Aluminium induced crystallization (AIC) technique can be used to form the high-quality and large-grained polycrystalline silicon (poly-Si) thin films, which are with the thickness of similar to 200 nm and used as a seed layer, on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::96353f777674b0f43f4389ce540ff642
https://hdl.handle.net/20.500.12684/4577
https://hdl.handle.net/20.500.12684/4577
Taşçıoğlu, İlke (Arel Author)
In this study, poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester: 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (P3HT:PCBM:F4-TCNQ) organic film was deposited on n-type silicon (n-Si) sub
In this study, poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester: 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (P3HT:PCBM:F4-TCNQ) organic film was deposited on n-type silicon (n-Si) sub
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ca75fe6fe8794faa05b9807dae85873c
https://hdl.handle.net/20.500.12684/6014
https://hdl.handle.net/20.500.12684/6014
Autor:
E. Yağlıoğlu, Ö. Tüzün Özmen
WOS: 000345124600070 In this study, we investigate some main electrical parameters of the gold/poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester:2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane/n-type silicon (Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e7e6134dd1cc3d3d2cd28dd43ae50556
https://hdl.handle.net/20.500.12684/5945
https://hdl.handle.net/20.500.12684/5945
Autor:
E. Yağlıoğlu, Ö. Tüzün Özmen
WOS: 000344823400062 In this study, a gold/poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester/n-type silicon (Au/P3HT:PCBM/n-Si) metal-polymer-semiconductor (MPS) Schottky barrier diode (SBD) was fabricated. To accomplish this, a spin-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ddf19acf5a346735541d7a820524b022
https://hdl.handle.net/20.500.12684/5903
https://hdl.handle.net/20.500.12684/5903
WOS: 000329211000034 In this work, a reformed crystallization annealing technique is presented for the solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon (a-Si) on SiNx-coated quartz substrate. This technique includes a two-step annealing process
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::17421061c6695ffd9ba7a821e0385cb8
https://hdl.handle.net/20.500.12684/4134
https://hdl.handle.net/20.500.12684/4134
WOS: 000315248400002 In this work, we have studied photoinduced dielectric and electrical properties of E63 nematic liquid crystal (E63-LC) materials doped with indium (III) metallo phthalocyanine (In-MPc) and fullerene (C-60) in dark and under UV il
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::dffda305bf99b59519cc72081bd18a8d
https://hdl.handle.net/20.500.12684/3455
https://hdl.handle.net/20.500.12684/3455
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.