Výsledky vyhledávání

A theoretical investigation of the band alignment of type-I direct band gap dilute nitride phosphide alloy of GaN x As y P 1– x–y /GaP quantum wells on GaP substrates

Autor: Ö L Ünsal, M Temiz, B Gönül

Publikováno v: Chinese Physics B. 23:077104

The GaP-based dilute nitride direct band gap material Ga(NAsP) is gaining importance due to the monolithic integration of laser diodes on Si microprocessors. The major advantage of this newly proposed laser material system is the small lattice mismat

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5f4dc9811087138d96e7e59152204778
https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/7/077104

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání