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Análisis de efectos de carga superficial en nanodispositivos semiconductores modelizados mediante simulaciones Monte Carlo
Autor: Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
Publikováno v: GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
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En los últimos años se han fabricado nuevos dispositivos nanométricos con geometrías ingeniosas basados en heteroestructuras AlInAs/InGaAs de alta movilidad, en donde los electrones se mueven balísticamente guiados por formas, fronteras u obstá
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c857f71bd028a913728e4c5368a753b8
https://doi.org/10.14201/gredos.19262
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Exploring Digital Logic Design Using Ballistic Deflection Transistors Through Monte Carlo Simulations
Autor: Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio, Purohit, Sohan, Kaushal, Vikas, Margala, Martin, Gong, Mufei, Wolpert, David, Ampadu, Paul, González Sánchez, Tomás, Mateos López, Javier
Publikováno v: GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
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We present exploratory studies of digital circuit design using the recently proposed ballistic deflection transistor (BDT) devices. We demonstrate a variety of possible logic functions through simple reconfiguration of two drain-connected BDTs. We fu
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7e0696713d34413b1bae0dd4664bfc09
http://hdl.handle.net/10366/122108
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Monte Carlo analysis of noise spectra in self-switching nanodiodes
Autor: Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio, Mateos López, Javier, Pardo Collantes, Daniel, González Sánchez, Tomás
Publikováno v: GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
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By means of a semiclassical two-dimensional Monte Carlo technique, we analyze current noise spectra of InAlAs/InGaAs-based submicron self-switching diodes. Shot noise (at low bias) and diffusion noise in the series resistance (at high bias) are found
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::91fbe7996d2e76a146c55114efc321c3
http://hdl.handle.net/10366/19211
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Caracterización de dispositivos electrónicos y circuitos analógicos/digitales: Diseño de demostraciones prácticas mediante sistemas de adquisición de datos
Autor: Sánchez Sánchez, Jorge
Publikováno v: GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
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Trabajo de fin de Grado. Grado en Física. Curso académico 2020-2021
[ES]La idea fundamental del trabajo es explicar cómo usar el NI myDAQ de manera autónoma para replicar de forma satisfactoria los experimentos que se llevarían a cabo en un
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9ae7b8de5da440be1fa9f0b20219fd28
https://hdl.handle.net/10366/148960
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High-frequency response and thermal effects in GaN diodes and transistors: modeling and experimental characterization
Autor: Héctor Sánchez Martín
Publikováno v: GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
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GREDOS: Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
Universidad de Salamanca (USAL)
[ES] Se han analizado diodos autoconmutantes (SSDs) y transitores de alta movilidad de electrones (HEMTs) de GaN, tanto en el régimen DC como en AC, tanto desde el punto de vista experimental como de simulaciones. Las no linealidades presentes en la
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::934f9550c186960083e2ba0ee5f908de
http://hdl.handle.net/10366/144219
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Estudio Monte Carlo de Oscilaciones Gunn y Efectos Térmicos en Dispositivos Basados en GaN
Autor: Sergio García Sánchez
Publikováno v: GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
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[EN]In recent years, the development of GaN technology has made significant inroads into high-power and high-frequency applications with respect to other semiconductor competitors such as GaAs or InP. In this dissertation, by means of an in-house Mon
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ead4a8bd3629235122aba0145e8c96bc
http://hdl.handle.net/10366/129407
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