Intégration de semi-conducteurs III-V sur substrat Silicium pour les transistors n-MOSFET à haute mobilité

Autor: Billaud, Mathilde

La substitution du canal de silicium par un semi-conducteur III-V est une des voies envisagées pour accroitre la mobilité des électrons dans les transistors n-MOSFET et ainsi réduire la consommation des circuits. Afin de réduire les coûts et de

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2017GREAT010/document

Etude de la fiabilité des mémoires non-volatiles à grille flottante

Autor: Rebuffat, Benjamin

De nombreuses applications industrielles spécifiques dans les secteurs tels que l’automobile, le médical et le spatial, requièrent un très haut niveau de fiabilité. Dans ce contexte, cette thèse traite de l’étude de la fiabilité des mémo

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2015AIXM4383

Electrical characterization and reliability of FDSOI transistors with High-k / metal gate stacks for sub-32nm technology nodes

Autor: Brunet, Laurent

Publikováno v: Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Aix-Marseille Université, 2012. Français. ⟨NNT : ⟩

The integration of High-k dielectrics in transistors gate stacks lead to new complex reliability issues. Furthermore new problematics appear with the use of fully depleted silicon on insulator (FDSOI) substrates for future sub-32nm planar technologie

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3bf97b089a2a8f6e757937cd7e2a724a
https://theses.hal.science/tel-00847881

Top-down fabrication, characterisation and applications of silicon nanowires

Autor: Vaurette, F.

Publikováno v: Matière Condensée [cond-mat]. Université des Sciences et Technologie de Lille-Lille I, 2008. Français. ⟨NNT : ⟩
Matière Condensée [cond-mat]. Université des Sciences et Technologie de Lille-Lille I, 2008. Français
Physique [physics]. Université des Sciences et Technologie de Lille-Lille I, 2008. Français

Thèse de doctorat en Sciences des Matériaux, Université de Lille 1, 22 janvier; This work focuses on the study of silicon nanowires made by a top-down approach. The context of the study is the miniaturisation of the components and the understandin

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::45bac1839e40835f3fff893864306ab6
https://theses.hal.science/tel-00342294/file/50376-2008-Vaurette.pdf

Transport properties in silicon microstructures and nanostructures

Autor: Rochdi, Nabil

Publikováno v: Matière Condensée [cond-mat]. Université de la Méditerranée-Aix-Marseille II, 2007. Français

This thesis work deals with the study of transport properties, of both charge and spin, in silicon-based microstructures and nanostructures.We have studied the fabrication process of connected low section (100 x 8 nm2) silicon nanowires (SiNWs) using

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______212::f0e57e34c5dd198edc8e3f8b990b2c3e
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00192856