Výsledky vyhledávání - "Épitaxie en phase vapeur d'organométalliques"

Dissertation/ Thesis

Croissance et caractérisation de nanofils/microfils de GaN

Autor: Coulon, Pierre-Marie

Ce travail de thèse ce focalise sur la croissance et la caractérisation de Nanofils (NFs) et de Microfils (µFs) de GaN. L'élaboration de telles structures est obtenue par épitaxie en phase vapeur d'organométalliques à partir de deux stratégie

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2014NICE4020/document

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Growth and characterization of GaN nanowires/microwires

Autor: Coulon, Pierre-Marie

Publikováno v: Autre [cond-mat.other]. Université Nice Sophia Antipolis, 2014. Français. ⟨NNT : 2014NICE4020⟩

This work focus on growth and characterization of GaN Nanowires (NWs) and Microwires (µWs). Such structures are obtained by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy with two growth strategies: one called self-organized which is realized on sapphire, and th

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______212::13cc2454f2fd7485a2fc711920d4e7f5
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01002342

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Microfils GaN à hétérostructures GaN/AlGaN coeurs-coquilles : de la croissance aux dispositifs UV à fil unique

Autor: Grenier, Vincent

Publikováno v: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2022. Français. ⟨NNT : 2022GRALY010⟩

III-N based LEDs are excellent candidates for the increasing demand of efficient and environmentally friendly UV sources. Despite more than 20 years of research on planar UV LEDs leading to significant optimizations, improving the efficiency of UV so

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::c090563ff154aa179c106e5b4b122e63
https://theses.hal.science/tel-03824004

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Dissertation/ Thesis

Investigation of ternary ΑlΙnΝ and quaternary ΑlGaΙnΝ alloys for high electron mobility transistors by transmission electron microscopy

Autor: Ben ammar, Hichem

Les semi-conducteurs III-V à base d’azote et leurs alliages possèdent des propriétés remarquables et sont largement étudiés depuis les années 90. En comparaison à d'autres semi-conducteurs III-V, Les alliages de type ; AlGaN, InGaN et AlInN

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2017NORMC241/document

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Dissertation/ Thesis

Propriétés optiques et structurales de dispositifs luminescents contenant des puits quantiques (In,Ga)N à forte concentration en Indium et émettant dans le vert et le jaune

Autor: Hussain, Sakhawat

Le but de cette thèse a été d'étudier les propriétés structurales et optiques de puits quantiques (PQs) d’InGaN/(Al)GaN obtenus par épitaxie en phase vapeur d’organométalliques. Différentes approches ont été mises en œuvre pour attein

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2014NICE4123/document

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