Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"Áč, Vladimír"'
Autor:
Áč, Vladimír
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 2008 403(2):460-463
Autor:
Áč, Vladimír, Miller, M.
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 2006 372(1):83-86
Autor:
Áč, Vladimír, Sumega, Miroslav
The power MOS transistors were tested with different diffusion barrier type used in metallization contact stack. The contact structure in integrated circuit (IC) needs to have good ohmic properties with low contact resistance and it needs to be therm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______8936::4014284857fd8656941575f4df6ae62f
http://hdl.handle.net/11025/549
http://hdl.handle.net/11025/549
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
HUJOVÁ, Erika, ÁČ, Vladimír
Publikováno v:
University Review (1337-6047); 2015, Vol. 9 Issue 4, p15-23, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Modern Developments in X-ray & Neutron Optics; 2008, p513-524, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.