Zobrazeno 1 - 10
of 203
pro vyhledávání: '"(InxGa1−x)2O3"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Ardenghi, O. Bierwagen, J. Lähnemann, E. Luna, J. Kler, A. Falkenstein, M. Martin, A. Sacchi, P. Mazzolini
Publikováno v:
APL Materials, Vol 12, Iss 10, Pp 101103-101103-9 (2024)
Its large intrinsic polarization makes the metastable κ-Ga2O3 polymorph appealing for multiple applications, and the In-incorporation into both κ and β-Ga2O3 allows us to engineer their bandgap on the low-end side. In this work, we provide practic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/65e08385d4ba41618a5f11fcc8d53db6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yupeng Zhang, Ruiheng Zhou, Xinyan Liu, Zhengyu Bi, Shengping Ruan, Yan Ma, Xin Li, Caixia Liu, Yu Chen, Jingran Zhou
Publikováno v:
Sensors, Vol 24, Iss 3, p 787 (2024)
β-Ga2O3 photodetectors have the advantages of low dark current and strong radiation resistance in UV detection. However, the limited photocurrent has restricted their applications. Herein, MSM UV photodetectors based on (InxGa1−x)2O3 (x = 0, 0.1,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1829f711eb4d46c58412df81c6a1ba1b
Autor:
Qi, Kai, Fu, Shihao, Wang, Yuefei, Han, Yurui, Fu, Rongpeng, Gao, Chong, Ma, Jiangang, Xu, Haiyang, Li, Bingsheng, Shen, Aidong, Liu, Yichun
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 25 November 2023 965
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martin S. Williams, Manuel Alonso-Orts, Marco Schowalter, Alexander Karg, Sushma Raghuvansy, Jon P. McCandless, Debdeep Jena, Andreas Rosenauer, Martin Eickhoff, Patrick Vogt
Publikováno v:
APL Materials, Vol 12, Iss 1, Pp 011120-011120-10 (2024)
The growth of α-Ga2O3 and α-(InxGa1−x)2O3 on m-plane α-Al2O3(101̄0) by molecular beam epitaxy (MBE) and metal-oxide-catalyzed epitaxy (MOCATAXY) is investigated. By systematically exploring the parameter space accessed by MBE and MOCATAXY, phas
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a2c71875ecf049b0960eae6d9ef3b1fd