Výsledky vyhledávání - "(1122) gallium nitride"

Akademický článek

Effect of Flux Rate Variation at Fixed V/III Ratio on Semi-Polar (112¯2) GaN: Crystal Quality and Surface Morphology Study

Autor: Chong Seng Ooi, Ahmad Shuhaimi, Gary Tan, Omar Al-Zuhairi, Wan Haliza Abd Majid

Publikováno v: Crystals, Vol 12, Iss 2, p 247 (2022)

We report on the crystal improvement of semi-polar (112¯2) gallium nitride epitaxy layer on m-plane (101¯0) sapphire substrate by changing the flux rate at a fixed V/III ratio. The high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD) analysis showed that low

Externí odkaz: https://doaj.org/article/1310720ce2a54ef3b5481b008aec0a38

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání