Zobrazeno 101 - 110
of 570
pro vyhledávání: '"N, Borges"'
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 39:463-465
In this work we report a investigation of the plasmon-longitudinal-optical (LO) phonon interaction effects on the intersubband and intrasubband collective excitation energies in a GaAs-AlνGa1-νAs rectangular quantum well wire. We observe a resonant
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IFAC Proceedings Volumes. 31:953-956
This work deals with the Block Preconditioning for the Conjugate Gradient Method on block tridiagonal systems of linear equations. The results obtained by using Transputer networks, IBM-SP2 and Cray-J90 confrrm the high perfonnance of this method wit
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Brazilian Journal of Physics. 36:391-393
In this work we have studied the electron LO phonon interaction on the pair-correlation function g(x) and its dependence on the electronic density for a GaAs-AlGaAs rectangular quantum wire within the random-phase approximation (RPA). We assumed two
Publikováno v:
Brazilian Journal of Physics. 36:354-356
In this work we present a calculation of the intradonor 1s-2p+ transition energies for an impurity donor present in a GaAs-AlGaAs Double Quantum Well structure as a function of an applied external magnetic field. In our calculation the impurity energ
Publikováno v:
Solid State Communications. 103:375-380
The polarizability and the ground state binding energy of a donor impurity located in a semiconductor quantum well wire of rectangular cross-section with finite barrier potential is calculated through the variational method. We assume that the donor
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 36:244-246
In the present work, we report a calculation of the electron energy levels (1s,2p−,2p+) and the binding energies of a shallow impurity placed in the center of a circular quantum dot of a GaAs surrounded by AlGaAs in the presence of a uniform magnet
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 36:431-433
In this work, we report a calculation of the 1s–2p+ transition energies of the donor impurity levels in a GaN–AlGaN quantum well (QW) in the presence of an external magnetic field. The impurity level energies are calculated through the variationa