Zobrazeno 41 - 50
of 1 609
pro vyhledávání: '"Kim, Jin Sung"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Choi, Dong Hyeok, Kim, Dong Wook, Ahn, So Hyun, Choi, Sang Hyoun, Jang, Young Jae, Kwon, Na Hye, Seok, Jae Hyun, Park, So Hyun, Ahn, Woo Sang, Kim, Jin Sung
Publikováno v:
In Radiation Physics and Chemistry November 2022 201
Autor:
Choi, Min Seo, Chang, Jee Suk, Park, Ryeong Hwang, Kwon, Yong Jae, Kim, Yong Bae, Moon, Jin Young, Yang, Gowoon, Kim, Jihun, Kim, Jin Sung
Publikováno v:
In Practical Radiation Oncology September-October 2022 12(5):e368-e375
Autor:
Cho, Yeona, Kim, Yejin, Chamseddine, Ibrahim, Lee, Won Hee, Kim, Hye Ryun, Lee, Ik Jae, Hong, Min Hee, Cho, Byung Chul, Lee, Chang Geol, Cho, Seungryong, Kim, Jin Sung, Yoon, Hong In, Grassberger, Clemens
Publikováno v:
In Radiotherapy and Oncology March 2022 168:1-7
Publikováno v:
In Nuclear Engineering and Technology February 2022 54(2):449-455
Publikováno v:
Global Spine Journal; Jul2024, Vol. 14 Issue 6, p1760-1770, 11p
Publikováno v:
Neurospine; Jun2024, Vol. 21 Issue 2, p474-486, 13p
Publikováno v:
International Journal of Automotive Technology; Jun2024, Vol. 25 Issue 3, p663-672, 10p
Autor:
Seok, Jae Hyun, Ahn, So Hyun, Ahn, Woo Sang, Choi, Dong Hyeok, Shin, Seong Soo, Choi, Wonsik, Jung, In-hye, Lee, Rena, Kim, Jin Sung
Publikováno v:
Physical & Engineering Sciences in Medicine; Jun2024, Vol. 47 Issue 2, p443-451, 9p
Electron-beam (e-beam) lithography is commonly used in fabricating metal-oxide-silicon (MOS) quantum devices but creates defects at the Si/SiO$_2$ interface. Here we show that a forming gas anneal is effective at removing shallow defects ($\leq$ 4 me
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1612.08729