Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"G. Cautero"'
Autor:
Giorgio Biasiol, Fulvia Arfelli, G. Cautero, A. Pilotto, C. Nichetti, T. Steinhartova, David Esseni, M. Antonelli, Francesco Driussi, R.H. Menk, Luca Selmi, Pierpaolo Palestri
Publikováno v:
Solid-state electronics 168 (2020). doi:10.1016/j.sse.2019.107728
info:cnr-pdr/source/autori:Pilotto, A.; Nichetti, C.; Palestri, P.; Selmi, L.; Antonelli, M.; Arfelli, F.; Biasiol, G.; Cautero, G.; Driussi, F.; Esseni, D.; Menk, R. H.; Steinhartova, T./titolo:Optimization of GaAs%2FAlGaAs staircase avalanche photodiodes accounting for both electron and hole impact ionization/doi:10.1016%2Fj.sse.2019.107728/rivista:Solid-state electronics/anno:2020/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:168
info:cnr-pdr/source/autori:Pilotto, A.; Nichetti, C.; Palestri, P.; Selmi, L.; Antonelli, M.; Arfelli, F.; Biasiol, G.; Cautero, G.; Driussi, F.; Esseni, D.; Menk, R. H.; Steinhartova, T./titolo:Optimization of GaAs%2FAlGaAs staircase avalanche photodiodes accounting for both electron and hole impact ionization/doi:10.1016%2Fj.sse.2019.107728/rivista:Solid-state electronics/anno:2020/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:168
A recently developed nonlocal history dependent model for electron and hole impact ionization is used to compute the gain and the excess noise factor in avalanche photodiodes featuring heterojunctions of III-V compound semiconductors while accounting
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::94b791e9eb224e4ef0594521a83538b8
https://hdl.handle.net/11380/1206544
https://hdl.handle.net/11380/1206544
Autor:
Pierpaolo Palestri, Giorgio Biasiol, M. Antonelli, C. Nichetti, Luca Selmi, Fulvia Arfelli, G. Cautero, A. Pilotto, D. De Angelis, F. Rosset, R.H. Menk, T. Steinhartova, Francesco Driussi
Publikováno v:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT 977 (2020). doi:10.1016/j.nima.2020.164346
info:cnr-pdr/source/autori:Rosset, F.; Pilotto, A.; Selmi, L.; Antonelli, M.; Arfelli, F.; Biasiol, G.; Cautero, G.; De Angelis, D.; Driussi, F.; Menk, R. H.; Nichetti, C.; Steinhartova, T.; Palestri, P./titolo:A model for the jitter of avalanche photodiodes with separate absorption and multiplication regions/doi:10.1016%2Fj.nima.2020.164346/rivista:NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT/anno:2020/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:977
info:cnr-pdr/source/autori:Rosset, F.; Pilotto, A.; Selmi, L.; Antonelli, M.; Arfelli, F.; Biasiol, G.; Cautero, G.; De Angelis, D.; Driussi, F.; Menk, R. H.; Nichetti, C.; Steinhartova, T.; Palestri, P./titolo:A model for the jitter of avalanche photodiodes with separate absorption and multiplication regions/doi:10.1016%2Fj.nima.2020.164346/rivista:NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT/anno:2020/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine:/volume:977
An improved version of the Random Path Length algorithm is used to simulate the time response of Separate Absorption and Multiplication Avalanche PhotoDiodes (SAM-APDs) in the linear regime. The model takes into account both the diffusion and the dri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5a792a79b8459b1f3fb73b8dcd13f7a9
https://hdl.handle.net/11380/1206561
https://hdl.handle.net/11380/1206561
Autor:
Giorgio Biasiol, T. Steinhartova, R.H. Menk, Francesco Driussi, David Esseni, Fulvia Arfelli, A. Pilotto, M. Antonelli, Pierpaolo Palestri, Luca Selmi, C. Nichetti, G. Cautero
Publikováno v:
2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Grenoble (FR), 2019
info:cnr-pdr/source/autori:Pilotto A.; Esseni D.; Menk R.H.; Steinhartova T.; Nichetti C.; Palestri P.; Selmi L.; Antonelli M.; Arfelli F.; Biasiol G.; Cautero G.; Driussi F./congresso_nome:2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)/congresso_luogo:Grenoble (FR)/congresso_data:2019/anno:2019/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine
info:cnr-pdr/source/autori:Pilotto A.; Esseni D.; Menk R.H.; Steinhartova T.; Nichetti C.; Palestri P.; Selmi L.; Antonelli M.; Arfelli F.; Biasiol G.; Cautero G.; Driussi F./congresso_nome:2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)/congresso_luogo:Grenoble (FR)/congresso_data:2019/anno:2019/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine
We report simulation results for gain and noise in avalanche photodiodes fabricated using heterojunctions of III-V compound semiconductors. We employ a recently developed nonlocal model for impact ionization. The model has been calibrated and validat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::69efd47e579404bf329206525b37471d
https://hdl.handle.net/11380/1200316
https://hdl.handle.net/11380/1200316
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.