Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Manfra, Michael"'
Publikováno v:
2003 Device Research Conference, Salt Lake City, June 23 to 25, 2003
Heterostructures of the materials system GaN/AlGaN/GaN were grown by molecular beam epitaxy on 6H-SiC substrates and high electron mobility transistors (HEMTs) were fabricated. For devices with large gate periphery an air bridge technology was develo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Birck and NCN Publications
In this work, we present a method able to fabricate thin GaN nanomembranes fit for device applications. Starting from commercial GaN on sapphire substrates, MBE was used to deposit a sacrificial layer, which comprises of a superlattice of InN/InGaN,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______540::a3acd5001450fc015518e6b609ddfe8c
http://docs.lib.purdue.edu/nanopub/1392
http://docs.lib.purdue.edu/nanopub/1392
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.