Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Bin Lu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
We demonstrate ultralow leakage current AlGaN/GaN Schottky-barrier diodes (SBDs) based on a 3-D anode contact. In contrast to conventional AlGaN/GaN SBDs, this new device forms a Schottky contact directly to the 2-D electron gas (2-DEG) at the sidewa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::77a6090fb500010020cc00935f59b053
https://infoscience.epfl.ch/record/217426
https://infoscience.epfl.ch/record/217426
We present a new normally-off GaN transistor-the tri-gate normally-off GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MISFET). Due to the excellent channel control of a new 3-D gate structure, a breakdown voltage of 565 V has been achieve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9b33119a1fd6e693236fb5f634fa3221
https://infoscience.epfl.ch/record/217430
https://infoscience.epfl.ch/record/217430
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.