Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"Jain R"'
Autor:
Nippu B N, Abdul Rahman, Sandeep Kumar Jain R, Manjunatha K S, H M Kumaraswamy, K M Mahadevan, N D Satyanarayan
Publikováno v:
Journal of Molecular Structure. 1277:134829
Publikováno v:
Journal of Molecular Structure. 1263:133103
Publikováno v:
Journal of Molecular Structure. 1244:130933
In this research investigation, novel isoxazolone-thiazole based azo dyes (Io1-Io4) were synthesized by a conventional azo coupling reaction at 0-5°C. The structure elucidation was precisely assessed using various spectroscopic techniques like FT-IR
Autor:
Stylianopoulos, T., Jain, R. K.
Publikováno v:
Nanomedicine: Nanotechnology, Biology, and Medicine
Nanotherapeutics have improved the quality of life of cancer patients, primarily by reducing the adverse effects of chemotherapeutic agents, but improvements in overall survival are modest. This is in large part due to the fact that the enhanced perm
Publikováno v:
Journal of the Neurological Sciences. 405:75
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Summonte, M. Canino, M. Allegrezza, M. Bellettato, A. Desalvo, R. Shukla, b, I.P. Jain, I. Crupic, S. Milita, L. Ortolani, L. LópezConesa, S. Estradé, F. Peiró, B. Garrido
Publikováno v:
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology 178 (2013): 551–558. doi:10.1016/j.mseb.2012.10.030
info:cnr-pdr/source/autori:C. Summonte, M. Canino, M. Allegrezza, M. Bellettato, A. Desalvo, R. Shukla,b, I.P. Jain, I. Crupic, S. Milita, L. Ortolani, L. LópezConesa, S. Estradé, F. Peiró, B. Garrido/titolo:Boron doping of silicon rich carbides: Electrical properties/doi:10.1016%2Fj.mseb.2012.10.030/rivista:Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology/anno:2013/pagina_da:551/pagina_a:558/intervallo_pagine:551–558/volume:178
info:cnr-pdr/source/autori:C. Summonte, M. Canino, M. Allegrezza, M. Bellettato, A. Desalvo, R. Shukla,b, I.P. Jain, I. Crupic, S. Milita, L. Ortolani, L. LópezConesa, S. Estradé, F. Peiró, B. Garrido/titolo:Boron doping of silicon rich carbides: Electrical properties/doi:10.1016%2Fj.mseb.2012.10.030/rivista:Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology/anno:2013/pagina_da:551/pagina_a:558/intervallo_pagine:551–558/volume:178
Boron doped multilayers based on silicon carbide/silicon rich carbide, aimed at the formation of silicon nanodots for photovoltaic applications, are studied. X-ray diffraction confirms the formation of crystallized Si and 3C-SiC nanodomains. Fourier