Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"Litvin, A"'
Autor:
G. E. Cirlin, Rodion R. Reznik, A. I. Khrebtov, I. D. Skurlov, I. V. Shtrom, A. S. Kulagina, A. P. Litvin, V. V. Danilov, E. S. Gromova
Publikováno v:
Semiconductors. 54:1141-1146
The results of studies of the decay photodynamics of excited states in a hybrid semiconductor nanostructure formed as an array of InP nanowires with an InAsP nanoinsert that are passivated with a quasi-Langmuir trioctylphosphine oxide (TOPO) layer co
Autor:
D. A. Onishchuk, Peter S. Parfenov, Aliaksei Dubavik, Iurii G. Korzhenevskii, Aleksandr P. Litvin, Anton A. Babaev
Publikováno v:
Semiconductors. 53:1946-1949
In the present study, the hybrid photovoltaic devices based on PbS quantum dots (QDs) and poly(3-hexylthiophene-2,5diyl) have been fabricated. The effect of the insertion of [6,6]-phenyl C71 butyric acid methyl ester (PCBM) into the hybrid blend has
Autor:
I. D. Skurlov, V. V. Danilov, Aleksandr P. Litvin, Peter S. Parfenov, Anastasia S. Kulagina, Evgeniy Ubyivovk, A. I. Khrebtov, Rodion R. Reznik, G. E. Cirlin
Publikováno v:
Semiconductors. 53:1258-1261
A composite nanostructure based on quasi-one-dimensional InP nanowires with an InAsP nanoinsert, grown on a Si(111) substrate by the method of molecular-beam epitaxy, and CdSe/ZnS zero-dimensional colloidal quantum dots is reported for the first time
Autor:
null Litvin A. P., null Sokolova A. V., null Babaev A. A., null Onishchuk D.A., null Bukhryakov N. V., null Parfenov P. S.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:175
The field-effect transistor method is used to study the mobility of charge carriers in layers of lead sulfide nanocrystals with ligands of tetrabutylammonium iodide and 1,2-ethanedithiol used to create solar cells. The difference between the operatin
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors. 50:112-119
The effect of ultraviolet (UV) illumination on the electrical and spectral characteristics of Schottky-barrier photodiodes based on ZnS single crystals is studied. It is found that irradiation deteriorates their photosensitivity and changes the curre
Autor:
P. M. Litvin, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudrik, V. N. Ivanov, V. V. Milenin, O. S. Litvin, N. S. Boltovets
Publikováno v:
Semiconductors. 38:737-741
The results of experimental studies of interphase interactions in TiBx-n-GaAs (GaP, InP, 6H-SiC) contacts stimulated by external effects are described. These effects are rapid thermal annealing at temperatures as high as 1000°C, microwave treatment
Autor:
D. P. Litvin, P. L. Abramov, A. V. Vasiliev, T.Yu. Chemekova, Yu.N. Makarov, A. S. Tregubova, A. A. Lebedev, Marina G. Mynbaeva
Publikováno v:
Semiconductors. 45:828-831
Sublimation epitaxy in a vacuum has been used to grow silicon carbide layers with a low defect concentration and with SiC wafers cut from single-crystal ingots produced by the modified Lely method serving as substrates. It is concluded on the basis o