Zobrazeno 1 - 10
of 236
pro vyhledávání: '"H. Tan"'
Autor:
Faisal Alosaimi, Yasin Temel, Sarah Hescham, Victoria S. Witzig, Faris Almasabi, Sonny K. H. Tan, Ali Jahanshahi
Publikováno v:
Scientific Reports, 12(1):14011. Nature Publishing Group
Scientific reports 12(1), 14011 (2022). doi:10.1038/s41598-022-18294-6
Scientific reports 12(1), 14011 (2022). doi:10.1038/s41598-022-18294-6
Scientific reports 12(1), 14011 (2022). doi:10.1038/s41598-022-18294-6
Published by Macmillan Publishers Limited, part of Springer Nature, [London]
Published by Macmillan Publishers Limited, part of Springer Nature, [London]
Autor:
Doris K. T. Ng, Hongwei Gao, Peng Xing, George F. R. Chen, Xavier X. Chia, Yanmei Cao, Kenny Y. K. Ong, Dawn T. H. Tan
Publikováno v:
Scientific Reports. 12
Ultra-silicon-rich nitride with refractive indices ~ 3 possesses high nonlinear refractive index—100× higher than stoichiometric silicon nitride and presents absence of two-photon absorption, making it attractive to be used in nonlinear integrated
Autor:
Xavier X. Chia, George F. R. Chen, Yanmei Cao, Peng Xing, Hongwei Gao, Doris K. T. Ng, Dawn T. H. Tan
Publikováno v:
Scientific reports. 12(1)
Chemical vapor deposition-based growth techniques allow flexible design of complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) compatible materials. Here, we report the deuterated silicon-rich nitride films grown using plasma-enhanced chemical vapor depos
Autor:
Yanmei Cao, Byoung-Uk Sohn, Hongwei Gao, Peng Xing, George F. R. Chen, Doris K. T. Ng, Dawn T. H. Tan
Publikováno v:
Scientific reports. 12(1)
Supercontinuum generation is demonstrated in a 3-mm-long ultra-silicon-rich nitride (USRN) waveguide by launching 500 fs pulses centered at 1555 nm with a pulse energy of 17 pJ. The generated supercontinuum is experimentally characterized to possess
Autor:
Doris K T, Ng, Hongwei, Gao, Peng, Xing, George F R, Chen, Xavier X, Chia, Yanmei, Cao, Kenny Y K, Ong, Dawn T H, Tan
Publikováno v:
Scientific reports. 12(1)
Ultra-silicon-rich nitride with refractive indices ~ 3 possesses high nonlinear refractive index-100× higher than stoichiometric silicon nitride and presents absence of two-photon absorption, making it attractive to be used in nonlinear integrated o
Publikováno v:
Scientific Reports
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-8 (2021)
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-8 (2021)
Infrared (IR)-emitting RE doped materials have been extensively used to fabricate active components of integrated optical devices in various fields, such as fiber amplifiers, telecommunications, optoelectronics, and waveguides. Among various RE eleme
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.