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Autor:
Beatrice Fraboni, Francesco Priolo, Francesco d'Acapito, Gaetano Scamarcio, Federico Boscherini, Eduardo Ceretta Moreira, Tiziana Cesca, G. Ciatto, Alberto Gasparotto, N. El Habra
Publikováno v:
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology 91 (2002): 503. doi:10.1016/S0921-5107(01)01057-1
info:cnr-pdr/source/autori:Gasparotto A.; Cesca T.; El Habra N.; Fraboni B.; Boscherini F.; Priolo F.; Moreira E.C.; Ciatto G.; D'Acapito F.; Scamarcio G./titolo:Implant and characterization of highly concentrated Fe deep centers in InP/doi:10.1016%2FS0921-5107(01)01057-1/rivista:Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology/anno:2002/pagina_da:503/pagina_a:/intervallo_pagine:503/volume:91
info:cnr-pdr/source/autori:Gasparotto A.; Cesca T.; El Habra N.; Fraboni B.; Boscherini F.; Priolo F.; Moreira E.C.; Ciatto G.; D'Acapito F.; Scamarcio G./titolo:Implant and characterization of highly concentrated Fe deep centers in InP/doi:10.1016%2FS0921-5107(01)01057-1/rivista:Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology/anno:2002/pagina_da:503/pagina_a:/intervallo_pagine:503/volume:91
High temperature (>200 °C) Fe ion implantation in combination with a post-implantation annealing treatment is used to introduce a high active Fe concentration, well above the solubility limit, in n-InP. Current–voltage (I–V) characteristics and