Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"631"'
Autor:
Vazquez-Cortas, D., Shimomura, S., Lopez-Lopez, M., Cruz-Hernandez, E., Gallardo-Hernandez, S., Kudriavtsev, Y., Mendez-Garcia, V.H.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 May 2012 347(1):77-81
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tomás Díaz, J.V. González-Fernández, Satoshi Shimomura, L.I. Espinosa-Vega, Román Romano, V.H. Méndez-García, Enrique Rosendo, D. Vázquez-Cortes, S. Gallardo
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 378:88-91
In this work, the optical and electrical properties of simultaneously grown modulation-doped heterostructures (MDH) on (100)- and (631)-oriented GaAs substrates are investigated. Due to the amphoteric behavior of Si in AlGaAs doped films two dimensio
Autor:
J. Nieto-Navarro, M. Ramírez-López, Ángel Rodríguez, Máximo López-López, I. Martinez-Veliz, L.I. Espinosa-Vega, V.H. Méndez-García, J. Rojas-Ramirez, E. Cruz-Hernández
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 378:105-108
In this work, we present a Raman scattering study of GaAs layers grown on (631)-oriented substrates by molecular beam epitaxy. A set of samples whose morphology sustained different corrugation order were grown by MBE by varying the growth parameters
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Gallardo-Hernández, Satoshi Shimomura, D. Vazquez-Cortas, E. Cruz-Hernández, Máximo López-López, V.H. Méndez-García, Y. Kudriavtsev
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 347:77-81
The Si incorporation into GaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs (631)A substrates as a function of the growth temperature was studied. Atomic force microscopy measurements showed an evolution of the samples surface from hillocks structu
Autor:
R. Contreras-Guerrero, Ángel Rodríguez, J.S. Rojas-Ramirez, E. Cruz-Hernández, Máximo López-López, D. Vazquez, Víctor Hugo Méndez-García, A. Pulzara-Mora
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. :884-888
GaAs layers were grown by MBE on (6 3 1)-oriented substrates under a variety of growth conditions. The structural properties of the samples were studied by atomic force microscopy and micro-Raman spectroscopy. Hillock structures were formed on the la