Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"WEI LU"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 35:220-228
Publikováno v:
MIT web domain
We have developed a scalable gate-last process to fabricate self-aligned InGaAs FinFETs that relies on extensive use of dry etch. The process involves F-based dry etching of refractory metal ohmic contacts that are formed early in the process. The fi
Autor:
Ying-Mei Tu, Chun-Wei Lu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 29:419-428
Semiconductor manufacturing companies have constructed large fabs to enhance their competitive advantage. A large fab has many advantages, such as low cost, short cycle time and flexibility. Nevertheless, the advantages from the expansion of producti
Autor:
Ann Marie Sastry, Wei Lu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 20:421-431
Fabrication technologies for the semiconductor industry have enabled ever-smaller devices but now face fundamental limits in creating nanoscale products. Self-assembly has recently emerged as a promising alternative fabrication technology for functio
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wei Lu1, Sastry, Ann Marie1 amsastry@umich.edu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. Nov2007, Vol. 20 Issue 4, p421-431. 11p. 2 Black and White Photographs, 6 Diagrams, 1 Chart.