Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Yu Yu"'
Autor:
R. M. Rozental, Yu. Yu. Danilov, A. N. Leontyev, A. M. Malkin, D. Yu. Shchegolkov, V. P. Tarakanov
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 69:1451-1456
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chao-Hung Wang, Yu-Hsuan Lin, Tseung-Yuen Tseng, Hsiang-Lan Lung, Chih-Yuan Lu, Keh-Chung Wang, Dai-Ying Lee, Feng-Min Lee, Ming-Hsiu Lee, Yu-Yu Lin
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 66:1289-1295
Resistive random access memory (ReRAM) is often considered as a strong candidate for storing the weights in non-von Neumann neuromorphic computing systems. This paper studies how nonideal memory characteristics, which include programing error, read f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Serge Biesemans, V.S. Chang, Tom Schram, KaiMin Yin, S. De Gendt, J.W. Maes, Thierry Conard, L.-A. Ragnarsson, Marc Aoulaiche, Hong Yu Yu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 54:2738-2749
A pFET threshold-voltage (Vt) reduction of about 200 mV is demonstrated by inserting a thin Al2O3 layer between the high-k dielectric and the TiN gate without noticeable degradation of other electrical properties. HfSiOpropcapped with 9 Aring of thin
Autor:
M. Jurczak, Hong Yu Yu, A. Lauwers, S. Biesemans, S. Van Elshocht, Jorge A. Kittl, Philippe Absil, Eddy Simoen, R. Singanamalla, Kristin De Meyer, Xiaoping Shi
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 53:1398-1404
A study on using a novel metal gate-the Ni fully GermanoSilicide (FUGESI)-in pMOSFETs is presented. Using HfSiON high-/spl kappa/ gate dielectrics and comparing to Ni fully Silicide (FUSI) devices, this paper demonstrates that the addition of Ge in p
Autor:
Zhiliang Xia, Hong Yu Yu, Dim-Lee Kwong, Ruqi Han, Yi Wang, Jinfeng Kang, Gang Du, Xiaoyan Liu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 52:2258-2264
The scaling characteristics of both n- and p-channel Ge-on-insulator (GOI) as well as silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs with channel length ranging from 20-130 nm are studied by a two-dimensional self-consistent fullband Monte Carlo device simulator
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.