Zobrazeno 1 - 10
of 173
pro vyhledávání: '"785"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 32:1135-1138
We have demonstrated a monolithic semiconductor passively mode-locked Bragg waveguide laser (PMBRL) based on a two quantum well active region. The lasers showed a threshold current of ~33 mA at a saturable absorber reverse bias of 0 V in continuous w
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kort Wiersma, Jie Zong, Masoud Mollaee, Xiushan Zhu, Arturo Chavez-Pirson, Nasser Peyghambarian, Robert A. Norwood
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 30:1563-1566
All-fiber single-transverse-mode laser oscillators operating at 785 nm were demonstrated by splicing a 0.1 mol% Tm 3+ -doped fluoride fiber with a core diameter of 4 μm and a numerical aperture of 0.07 to a pair of silica fiber Bragg gratings. About
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 31:1120-1123
A compact, micro integrated, diode laser-based dual-wavelength master oscillator power amplifier at 785 nm is presented. Laser emission from a Y-branch distributed Bragg reflector laser is coupled into a tilted ridge waveguide amplifier on a $5\times
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 26:1120-1123
A dual-wavelength master oscillator (MO) power amplifier (PA) diode-laser system emitting at 785 nm suitable for shifted excitation Raman difference spectroscopy is presented. The laser system consists of a distributed Bragg reflector V-branch diode
Autor:
Reinhold, Alexander, Fischer, Marc, Zeller, Wolfgang, Koeth, Johannes, Hofling, Sven, Kamp, Martin
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters; 8/15/2019, Vol. 31 Issue 16, p1319-1322, 4p