Zobrazeno 1 - 10
of 46
pro vyhledávání: '"Wang, Ping"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen Zhou, Wang-Ping Cheng, Yuan-Di He, Cheng Shao, Ling Hu, Ren-Huai Wei, Jing-Gang Qin, Wen-Hai Song, Xue-Bin Zhu, Chuan-Bing Cai, Yu-Ping Sun
Publikováno v:
Chinese Physics B. 31:107305
Development of p-type transparent conducting thin films is tireless due to the trade-off issue between optical transparency and conductivity. The rarely concerned low normal state resistance makes Bi-based superconducting cuprates the potential hole-
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Physics B. 27:038902
In this paper, the collective motion of self-driven robots is studied experimentally and theoretically. In the channel, the flowrate of robots increases with the density linearly, even if the density of the robots tends to 1.0. There is no abrupt dro
Publikováno v:
Chinese Physics B. 17:3459-3463
This paper employs micro-Raman technique for detailed analysis of the defects (both inside and outside) in bulk 4H-SiC. The main peaks of the first-order Raman spectrum obtained in the centre of defect agree well with those of perfect bulk 4H-SiC, wh