Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"J.P. Stoquert"'
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 67:2072-2074
The ability to grow Si1−xGex thin films on single‐crystal silicon or fused silica substrates by the pulsed excimer laser ablation from a sintered SiGe target is investigated. The stoichiometry of the deposits was found to depend essentially on th
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 57:1739-1741
Ultrathin amorphous multilayers structures (1.55 nm bilayer period) were irradiated by high‐energy heavy ion (127I and 238U ions). Transmission electron microscopy study shows that the ion‐material interaction in such a configuration leads to an
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 57:664-666
Silicon dioxide thin films are deposited, for the first time, by reactive laser ablation from a silicon monoxide target in oxygen atmosphere, with a high‐power pulsed ArF (λ=193 nm) excimer laser. The specific influence of oxygen in the chamber du
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.